mosfet transistor

Hersteller: ALPHA

Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 12.5A Verlustleistung: 2.5W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 14mΩ Montage: SMD Kanal-Art: stark

Problems in Basic Electronics: Volume II: Diodes, BJT Transistors, MOSFET Transistors, Operational Amplifiers (Solved Problems in Electronics)

Dynamische dV/DT-Bewertung Schnelles Umschalten Einfache Antriebsanforderungen Einfache Parallelierung Betriebstemperatur: 175 °C

Material: Kunststoff + Metall Farbe: schwarz + silber MOSFET (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, ausgesprochen MAWS-feht) ist eine spezielle Art von Feldeffekttransistor (FET), bei dem die Breite eines Kanals, entlang dem Ladungsträger (Elektronen oder Löcher) fließen, elektronisch variiert wird. Je breiter der Kanal, desto führt das Gerät. Produktname: IRF1404 N-Kanal-Transistor mit großem Chip Die Ladungsträger treten an der in den Kanal ein und treten über den Drain aus. Die Breite des Kanals wird durch die Spannung an einer als Gate bezeichneten Elektrode gesteuert, die sich physikalisch zwischen Source und Drain befindet und durch eine extrem dünne Metalloxidschicht vom Kanal isoliert ist.

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Montage: THT Gehäuse: Widerst im Leitungszust: 8.4mΩ Verlustleistung: 110W Verpackungs-Art: Tube Technologie: ® Gate-Source Spannung: 20V Gate-Ladung: 46nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 79A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 46A Verlustleistung: 88W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 16.5mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 48nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark

Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 4A Verlustleistung: 43W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 540mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 8.3nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark

Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 4A Verlustleistung: 43W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 10V Widerst im Leitungszust: 540mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 6.1nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark

Hersteller: ALPHA

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 36A Verlustleistung: 140W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 16V Widerst im Leitungszust: 44mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 49.3nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 57A Verlustleistung: 200W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 23mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 86.7nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark

Set 2: 50 x Transistoren + 150 x Chipsatz Neun N-Kanal- und ein P-Kanal-Transistor mit sehr geringem On-Widerstand pro Siliziumfläche. Dieses...

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 18A Verlustleistung: 150W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 0.15Ω Montage: THT Gate-Ladung: 44.7nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark

Neun N-Kanal- und ein P-Kanal-Transistor mit sehr geringem Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche. Dieses Paket enthält 50 Transistoren...

Hersteller: ALPHA

Hersteller: ALPHA

Hersteller: ALPHA

Hersteller: ALPHA

Hersteller: ALPHA

Neun N-Kanal- und ein P-Kanal-Transistor mit sehr geringem Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche. Dieses Paket enthält 100 Transistoren...

Produktname: IRFP460 Großchip-N-Kanal-Transistor Farbe: Schwarz + Silber Material: Kunststoff + Metall Stromstärke: 20 A Spannung: 500 V...

100V 9,7A N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Transistor IRF520 Einfache Montage, platzsparend. Produktname: MOSFET Modellnr.: IRF520 Typ: N-Kanal Spannung...

Befestigungsloch: M3-Schraubenloch Geeignet für: TO-220-Transistoren; Kühlkörper aus Aluminium Hohe Wärmeleitfähigkeit und...

50 Stück. 10er-Set MOSFET-Transistoren der IRF-Serie, inklusive IRFZ44/510/520/530/540/640/740/840/3205/9540. Dropshipping und Großhandel...

【Auto-Modus: Einfach stecken, sofort erkennen】Nehmen Sie den Portable Transistor Tester, stecken Sie ein Bauteil ein und drücken TEST. Das Gerät wechselt in den Auto-Modus, erkennt automatisch Widerstand, Kondensator, Diode oder Transistor. Kein Einstellen, kein Rätsel. Der LCR Transistor Tester spart Zeit und macht Messungen intuitiv. 【NEC-Decodierung: Fernbedienungen prüfen】Halten Sie Ihre Fernbedienung an den LCR messgerat. Drücken Sie eine Taste – sofort erscheint Code und Wellenform. Prüfen Sie IR-Signale präzise, ideal für Reparaturen. Ihr Kondensator Tester wird so zum universellen Diagnose-Werkzeug. 【Entladeschutz: Sicherheit mit Hinweis】Vergessen, einen Kondensator zu entladen? Der kondensatorzähler entlädt ihn beim Einstecken automatisch – das schützt vor Durchbrennen. Diese Funktion ist nur eine Sicherheitsreserve. Zur korrekten Messung empfehlen wir: Kondensatoren stets manuell entladen. 【Rundum-Paket: Integrierter SMD-Sockel】Messen Sie NPN/PNP, MOSFETs, Dioden, Spulen – mit automatischer Pin-Belegung. DDank des integrierten SMD-Sockels entfällt das lästige Wechseln – und Sie müssen keine Angst haben, ihn zu verlieren. Ein LCR Transistor Tester, der alles kann – perfekt für Entwickler, Studenten und Reparaturprofis. 【USB-C Akku: Immer einsatzbereit】Keine 9V-Blockbatterien mehr. Der 300-mAh-Akku lädt über USB-C (5V/1A) – am Laptop oder Netzteil. Das kompakte Portable Transistor Tester ist schnell voll und stets bereit. Ideal für Werkstatt, Labor oder unterwegs.

Produktname: MOSFET; Modellnummer: IRFP450 Kanaltyp: N - Kanal; Drain - Source - Spannung: 500V Drainstrom: 15A; Durchmesser der Befestigungsbohrung: 3,5 mm / 0,138 Anschlussgröße: 14 × 1 mm / 0,551 × 0,039 (L * Abstand); Gesamtgröße: 33 × 14 × 4 mm / 1,299 × 0,551 × 0,157 (L * B * H) (b1879c66-c652-11e9-a051-4cedfbbbda4e Gewicht: 6 g; Packungsinhalt: 1 x N-Kanal-MOSFET (

Hersteller: ALPHA

Montageloch: M3 Schraubenloch Passend fuer: TO-220 Transistoren; Kuehlkoerper aus Aluminium Starke Waermeleitung und Waermeableitung Farbe: schwarz ...

Neun N-Kanal- und ein P-Kanal-Transistor mit sehr geringem Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche. Dieses Paket enthält 100 Transistoren...