mosfet transistor

Transistor N-FET TO-92 60V 0,5A 0,35W

[Großes und klares LCD-Digitaldisplay] Dieser erstaunliche Detektor verwendet einen 4,6 cm TFT-Farb-LCD-Bildschirm mit hoher Auflösung. Verschiedene Parameter zeigen verschiedene Farben, bequem und einfach. Automatische Erkennung] Der Smart Transistor-Detektor erkennt automatisch NPN und PNP Transistoren, N-Kanal und P-Kanal MOSFETs, Dioden, Thyristoren, Widerstände, Kondensatoren oder andere Geräte. [Auto-Shutdown-Funktion] Es hat eine automatische Abschaltfunktion. Der Countdown zum Herunterfahren wird auf dem Display angezeigt, und der Countdown zum Herunterfahren kann auf 40 Sekunden verlängert werden. Angetrieben durch Batterie. [Breite Anwendung] Dieses Multifunktions-Kapazitätsmesser kann verwendet werden, um Trioden, Feldeffekt-Transistoren (FET), Dioden, Widerstände, Kondensatoren, Induktoren, MOS, SCR zu testen und kann für verschiedene elektronische Transistortests verwendet werden. [] Wir bemühen uns, Ihnen die höchste Qualität und die beste Kundenerfahrung zu bieten, wenn Sie irgendwelche Probleme mit diesem Produkt haben, können Sie einfach unsere 180 Tage nutzen.

Transistor . 20V N-Kanal Verstärkung MOSFET . Gehäuse: SOT-23

Vielseitiges MOSFET-Sortiment: Enthält 50 hochwertige N-Kanal-MOSFETs im TO-220-Gehäuse, darunter 10 verschiedene gängige Typen (je 5...

Transistor SMD N-FET SOT-23 100V 0,17A

Vielseitiges MOSFET-Sortiment: Enthält 50 hochwertige N-Kanal-MOSFETs im TO-220-Gehäuse, darunter 10 verschiedene gängige Typen (je 5...

Transistor SMD P-FET SOT-23 -50V -0,13A

Umfassender Komponententest: Dieser Transistortester kann automatisch eine Vielzahl von Komponenten erkennen, darunter NPN- und PNP-Transistoren, MOSFETs, Dioden und Kondensatoren. Er bietet grafische Darstellungen von Pin-Layouts und Parametern auf einem lebendigen 8-Zoll-TFT-Farbbildschirm, sodass Sie Ihre Komponenten problemlos analysieren können. Schnelle und präzise Messungen: Mit einer Testgeschwindigkeit von nur 2 Sekunden liefert dieses Gerät schnelle Ergebnisse. Es kann Widerstände bis zu 50 Megaohm und Kapazitäten von 25 pF bis 100 mF messen und gewährleistet so effiziente Tests für alle Ihre elektronischen Projekte. Benutzerfreundliches Design: Die Ein-Knopf-Bedienung vereinfacht den Testvorgang und ermöglicht Benutzern aller Erfahrungsstufen das einfache Einschalten und Testen von Komponenten. Automatische Abschaltfunktionen helfen, die Batterielebensdauer für eine längere Nutzung zu verlängern. Detaillierte Analysefunktionen: Dieser Tester kann die Gate-Schwellenspannung und -Kapazität für MOSFETs sowie den ESR für Kondensatoren über 10 µF messen und bietet detaillierte Einblicke in die Leistung Ihrer Komponenten. Widerstände unter 2100 Ohm messen die Induktivität, und Induktoren unter 10 UH messen nur den Gleichstromwiderstand. Schnelle Testgeschwindigkeit, effektiver Komponententest: innerhalb von 2 Sekunden (außer bei größeren Kondensatoren, die Messung großer Kondensatoren dauert auch lange)

Dieses 3-Wege MOS-FET-Treibermodul mit IRF540-Transistoren ermöglicht die Steuerung hoher Ströme durch kleine Signale. Es eignet sich als Ersatz für Relais und kann Servos, Hochleistungs-LEDs und andere Lasten schalten.Verwendet drei IRF540NS-MOSFETs zur Schaltung hoher StrömeEingangsspannung unter 40 V an VIN/GNDSteuerung der Ausgänge NA, NB, NC über INA, INB, INC (High = GND, Low = offen)Drei Status-LEDs (D1, D2, D3) zeigen den Schaltzustand anNur für 5-V-Mikrocontroller geeignet (nicht für 3,3 V)Typische Anwendungen: Fernsteuerung, Telemetrie, Kommunikation, Automatisierung, Mechatronik

Automatische Erkennung: Dieser Transistor -Tester verfügt über eine einfache Taste mit automatischer Erkennung und Herunterfahren, um eine einfache Verwendung zu erhalten TFT -Farbbildschirm: Fügen Sie einfach den Komponentenstift in den angegebenen Bereich ein und drehen Sie den kleinen Griff. Der Tester analysiert die Komponente und zeigt die Ergebnisse auf einem hellen TFT -Farbbildschirm zum einfachen Lesen an Selbstkalibrierungsfunktion: Dieser schnelle Transistor -Tester ist so konzipiert Weit verbreitete Anwendung: Ideal zum Testen verschiedener Komponenten, die NPN- und PNP -Transistorenkondensatoren Resistoren Dioden MOSFETS IGBTS JFETS Triacs und Batterien problemlos Langlebiges Material: Aus robustem ABS -Material erstellt dieser Transistor -Tester sorgt für die Lebensdauer und macht es für den häufigen Gebrauch im Laufe der Zeit geeignet

BSS84P, SIPMOS Kleinsignal-Transistor Features: . P-Kanal . Anreicherungs-Modus . Logischer Pegel . Avalanche-bewertet . dv/dt-bewertet . Pb-freie Bleiplattierung; RoHS-konform . Qualifiziert nach AEC Q101 . Halogenfrei nach IEC61249-2-21 Lieferung in kompletter Industrieverpackung (7-Zoll-Rolle a 3000 Stück) möglich, sprechen sie mit unserer Angebotsabteilung!

CMOS-Transistoren

Eingebaute 300 mAh 3,7 V Lithiumbatterie, kann wiederaufladbar sein. Anzeige mittels TFT 1,8 Zoll Farbdisplay, grafische Darstellung diverser Parameter. Erkennt automatisch Komponenten wie NPN- und PNP-Transistoren, N-Kanal- und P-Kanal-MOSFETs, IGBT-Dioden (einschließlich Doppeldioden), Thyristoren, Transistoren, Widerstände und Kondensatoren. Testen Sie automatisch das Pin-Layout des Bauteils und stellen Sie es grafisch auf dem Farbbildschirm dar. Kann Infrarotcode erkennen (unterstützt Infrarot-Fernbedienung im NEC-Format).

DN2540 is a low threshold depletion mode (normally-on) transistor utilizing an advanced vertical DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired. . High input impedance . Low input capacitance . Fast switching speeds . Low on-resistance . Free from secondary breakdown . Low input and output leakage Technical Data: . BVdsx: 400 V . RDS: 25 Ohm . Ugs (off): -1,5 ... -3,5 V . Ic: 150 mA

SIPMOS Small-Signal-Transistor Features . P-Channel . Enhancement mode . Avalanche rated . dv /dt rated . Pb-free lead plating; RoHS compliant . Qualified according to AEC Q101

Zetex Transistor Gehäuse: SOT-223 N-Channel Mosfet

SIPMOS Small-Signal-Transistor Features . P-Channel . Enhancement mode . Normal level . Avalanche rated . Pb-free lead plating; RoHS compliant ° Halogen-free according to IEC61249_2_21 ° Qualified according to AEC Q101

SIPMOS Power-Transistor Feature N-Channel Enhancement mode Logic Level dv/dt rated Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to AEC Q101 Halogenfree according to IEC61249221

Transistor SMD P-FET SOT-23 -60V -0,33A . P-Channel . Enhancement mode . Avalanche rated . Logic Level . dv/dt rated

Zetex Transistor Gehäuse: E-Line N-Channel Mosfet

Zetex Transistor Gehäuse: E-Line N-Channel Mosfet

SIPMOS Small-Signal-Transistor Feature N-Channel Enhancement mode Logic Level dv/dt rated Pb-free lead plating; RoHS compliant 4.5V rated Qualified according to AEC Q101 Halogenfree according to IEC61249221

Transistor . 20V N-Kanal Verstärkung MOSFET . Gehäuse: SOT-23

SIPMOS Kleinsignal-Transistor . N-Kanal

Niedrige Schaltverluste dank kurzer Schaltzeiten und kleinstem R DS (ON) Digital FET, N-Kanal Diese N-Kanal-Feldeffekttransistoren im Anreicherungsmodus sind mit der von Onsemi entwickelten DMOS-Technologie mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser Prozess mit sehr hoher Dichte ist speziell darauf zugeschnitten, den Durchlasswiderstand zu minimieren. Dieses Bauelement wurde speziell für Niederspannungsanwendungen als Ersatz für digitale Transistoren entwickelt. Da keine Vorspannungswiderstände erforderlich sind, kann dieser ein N-Kanal-FET mehrere verschiedene digitale Transistoren mit unterschiedlichen Vorspannungswiderstandswerten ersetzen. Merkmale - Sehr niedrige Gate-Ansteuerungsanforderungen, die den direkten Betrieb in 3-V-Schaltungen ermöglichen, VGS(th) < 1,06 V - Gate-Source-Zener für ESD-Robustheit - Ersetzen mehrere NPN-Digital-Transistoren durch einen DMOS-FET - Pb-frei und halidfrei

SIPMOS Small-Signal-Transistor Features . P-Channel . Enhancement mode . Logic level . Avalanche rated . dv /dt rated . Pb-free lead plating; RoHS compliant . Qualified according to AEC Q101

SIPMOS Small-Signal-Transistor Features . N-channel . Depletion mode . dv /dt rated . Available with VGS(th) indicator on reel . Pb-free lead plating; RoHS compliant . Qualified according to AEC Q101

Zetex Transistor Gehäuse: E-Line N-Channel Mosfet

Zetex Transistor Gehäuse: SOT-23 N-Channel Mosfet

SIPMOS Small-Signal-Transistor Features . N-channel . Depletion mode . dv /dt rated . Available with VGS(th) indicator on reel . Pb-free lead plating; RoHS compliant . Qualified according to AEC Q101