mosfet transistor

SIPMOS Small-Signal-Transistor Features . P-Channel . Enhancement mode . Normal level . Avalanche rated . Pb-free lead plating; RoHS compliant ° Halogen-free according to IEC61249_2_21 ° Qualified according to AEC Q101

SIPMOS Power-Transistor Feature N-Channel Enhancement mode Logic Level dv/dt rated Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to AEC Q101 Halogenfree according to IEC61249221

Transistor SMD P-FET SOT-23 -60V -0,33A . P-Channel . Enhancement mode . Avalanche rated . Logic Level . dv/dt rated

Zetex Transistor Gehäuse: E-Line N-Channel Mosfet

Der Regler hat die einfache Aufgabe, die Spannung im Bordnetz auch bei stark unterschiedlicher Drehzahl des Motors konstant halten, dadurch die Verbraucher vor einer Überspannung zu schützen und das Überladen der Batterie zu verhindern. MOSFET - Die Revolution der SpannungsregelungMosfet-Transistoren werden verwendet, um elektronische Wellen zu verstärken. Dieses Konzept hat die herkömmliche Drei-Phasen-Spannungsregler Technologie abgelöst, da es weitaus unanfälliger in Punkto Störungen oder Ausfällen ist.Der wesentliche Vorteil besteht in der weitaus geringeren Wärmeentwicklung, die die meisten herkömmlichen Regler "sterben" lässt.Seit vielen Jahren haben die in fast allen Zweirädern verbauten, klassischen Spannungsregler einen sogenannten Silizium-Steuergleichrichter in Verwendung, um die Batteriespannung ständig konstant zu halten. Die neue MOSFET Spannungsregler-Technologie wird hauptsächlich wegen seiner optimierten Leistung immer beliebter bei neuen Fahrzeugen.Heutzutage haben Motorräder, Motorroller und ATVs durch die v

MOSFET DIE REVOLUTION BEI SPANNUNGSREGELERNMOSFET-NEUHEITEN UND VORTEILEDreiphasiger Hochleistungsregler.Auch geeignet für Lithium-Ionen AkkusAusgangsstrom bis zu 50 A.Hochpräzise elektronische Batteriespannungssteuerung, die den Einsatz eines linearen Sensors überflüssig macht.Deutliche Verringerung der Erwärmung für eine lange Lebensdauer.Standby-Modus mit geringem Energieverbrauch, wenn das Fahrzeug nicht benutzt wird, wodurch die Lebensdauer der Batterie verlängert wird.MOSFET-Transistoren werden zur Verstärkung elektronischer Wellen verwendet. Diese Technologie hat das Konzept der Dreiphasen-Spannungsregler verändert.Seit vielen Jahren verwenden klassische Spannungsregler Silizium-Steuergleichrichter (SCR), um den Überschuss an Strom vom Generator zur Erde zu leiten und so die Batterieleistung konstant zu halten. Dies funktioniert gut bei kleinen und mittelgroßen Motoren. Dennoch wird die neue Spannungsreglertechnologie, die von MOSFET verwendet wird, aufgrund ihrer optimalen Leistung und vieler interessanter Vorteile imm

STripFET II Power MOSFET Features Exceptional dv/dt capability Low gate charge Description This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique "single feature size" strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low onresistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility. Applications Switching application

Power MOSFET FEATURES . Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement . Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness . Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current . Effective Coss Specified . Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS . Switch Mode Power Supply (SMPS) . Uninterruptable Power Supply . High Speed Power Switching TYPICAL SMPS TOPOLOGIES . Two Transistor Forward . Half Bridge . Full Bridge

Power MOSFET FEATURES . Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement . Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness . Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and current . Lead (Pb)-free Available APPLICATIONS . Switch Mode Power Supply (SMPS) . Uninterruptible Power Supply . High Speed Power Switching APPLICABLE OFF LINE SMPS TOPOLOGIES . Two Transistor Forward . Half and Full Bridge . Power Factor Correction Boost

DN2535 is a low threshold depletion mode (normally-on) transistor utilizing an advanced vertical DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired. . High input impedance . Low input capacitance . Fast switching speeds . Low on-resistance . Free from secondary breakdown . Low input and output leakage Technical Data: . BVdsx: 350 V . RDS: 25 Ohm . Ugs: -1,5 ... -3,5 V . Ic: 150 mA

N-Kanal TrenchMOS transistor Logic level FET Merkmale Trench-Technologie Extrem schnelles Schalten Logic level kompatibel Subminiatur-Gehäuse für Oberflächenmontage Anwendungen Relaistreiber Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber Telefonklingel

These low threshold depletion-mode (normally-on) transistors utilize an advanced vertical DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, these devices are free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired. . High input impedance . Low input capacitance . Fast switching speeds . Low on-resistance . Free from secondary breakdown . Low input and output leakage Technical Data: . BVdsx: 500 V . Ugs (off): -1,5 ... 3,5 V . RDS: 10 Ohm . Ic: 700 mA

STripFET II POWER MOSFET Dieser Leistungs-MOSFET ist die neueste Entwicklung von STMicroelectronis einzigartiger "Single Feature Size" Prozesses auf Streifenbasis. Der resultierende Transistor weist eine extrem hohe Packungsdichte für einen niedrigen On-Widerstand auf, robuste Avalanche-Eigenschaften und weniger kritische Ausrichtungsschritte und damit eine bemerkenswerte Reproduzierbarkeit bei der Herstellung. Hinweis Ersatz für BUZ71A

DN2540 is a low threshold depletion mode (normally-on) transistor utilizing an advanced vertical DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired. . High input impedance . Low input capacitance . Fast switching speeds . Low on-resistance . Free from secondary breakdown . Low input and output leakage Technical Data: . BVdsx: 400 V . RDS: 25 Ohm . Ugs (off): -1,5 ... -3,5 V . Ic: 150 mA

Dieser Leistungs-MOSFET ist die neueste Entwicklung des einzigartigen streifenbasierten "Single Feature Size"-Prozesses von STMicroelectronics. Der resultierende Transistor weist eine extrem hohe Packungsdichte für einen niedrigen Einschaltwiderstand, robuste Avalanche-Eigenschaften und weniger kritische Ausrichtungsschritte auf, was zu einer bemerkenswerten Reproduzierbarkeit bei der Herstellung führt. Eigenschaften . außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit . 100% Avalanche-getestet . Anwendungsorientierte Charakterisierung Anwendungen . Schaltanwendung

Der Regler hat die einfache Aufgabe, die Spannung im Bordnetz auch bei stark unterschiedlicher Drehzahl des Motors konstant halten, dadurch die Verbraucher vor einer Überspannung zu schützen und das Überladen der Batterie zu verhindern. MOSFET - Die Revolution der SpannungsregelungMosfet-Transistoren werden verwendet, um elektronische Wellen zu verstärken. Dieses Konzept hat die herkömmliche Drei-Phasen-Spannungsregler Technologie abgelöst, da es weitaus unanfälliger in Punkto Störungen oder Ausfällen ist.Der wesentliche Vorteil besteht in der weitaus geringeren Wärmeentwicklung, die die meisten herkömmlichen Regler "sterben" lässt.Seit vielen Jahren haben die in fast allen Zweirädern verbauten, klassischen Spannungsregler einen sogenannten Silizium-Steuergleichrichter in Verwendung, um die Batteriespannung ständig konstant zu halten. Die neue MOSFET Spannungsregler-Technologie wird hauptsächlich wegen seiner optimierten Leistung immer beliebter bei neuen Fahrzeugen.Heutzutage haben Motorräder, Motorroller und ATVs durch die v

FGMOS, ein MOSFET mit einem zusätzlichen, elektrisch isolierten Gate, dem so genannten Floating-Gate, wird schon seit geraumer Zeit bei der Entwicklung digitaler Schaltungen eingesetzt und findet Anwendung bei der Entwicklung von Speichern. Die auf dem Floating-Gate gespeicherte Ladung wirkt sich auf die Leitfähigkeit des Kanals aus, was wiederum die Schwellenspannung verändert. Dadurch wird die Schwellenspannung eines FGMOS programmierbar, so dass er sich für analoge Niederspannungsschaltungen eignet. Es wurden analoge Schaltungsstrukturen und ihre Anwendungen in der analogen Signalverarbeitung auf der Grundlage der Standard-FGMOS-Technologie bei einer nominalen Versorgungsspannung von ± 0,75 V vorgestellt. Zu den entwickelten FGMOS-basierten Strukturen gehören Stromspiegel, Spannungspuffer und Stromtransporteure (CCs). Darüber hinaus wurden CCs für die Realisierung von Gyrator, Induktivitätssimulation und Kapazitätsvervielfacher verwendet. Aktive Filter (Allpass-, Tiefpass-, Bandpass- und Kerbfilter) wurden ebenfalls entworf

Der Regler hat die einfache Aufgabe, die Spannung im Bordnetz auch bei stark unterschiedlicher Drehzahl des Motors konstant halten, dadurch die Verbraucher vor einer Überspannung zu schützen und das Überladen der Batterie zu verhindern. MOSFET - Die Revolution der SpannungsregelungMosfet-Transistoren werden verwendet, um elektronische Wellen zu verstärken. Dieses Konzept hat die herkömmliche Drei-Phasen-Spannungsregler Technologie abgelöst, da es weitaus unanfälliger in Punkto Störungen oder Ausfällen ist.Der wesentliche Vorteil besteht in der weitaus geringeren Wärmeentwicklung, die die meisten herkömmlichen Regler "sterben" lässt.Seit vielen Jahren haben die in fast allen Zweirädern verbauten, klassischen Spannungsregler einen sogenannten Silizium-Steuergleichrichter in Verwendung, um die Batteriespannung ständig konstant zu halten. Die neue MOSFET Spannungsregler-Technologie wird hauptsächlich wegen seiner optimierten Leistung immer beliebter bei neuen Fahrzeugen.Heutzutage haben Motorräder, Motorroller und ATVs durch die v

Der Regler hat die einfache Aufgabe, die Spannung im Bordnetz auch bei stark unterschiedlicher Drehzahl des Motors konstant halten, dadurch die Verbraucher vor einer Überspannung zu schützen und das Überladen der Batterie zu verhindern. MOSFET - Die Revolution der SpannungsregelungMosfet-Transistoren werden verwendet, um elektronische Wellen zu verstärken. Dieses Konzept hat die herkömmliche Drei-Phasen-Spannungsregler Technologie abgelöst, da es weitaus unanfälliger in Punkto Störungen oder Ausfällen ist.Der wesentliche Vorteil besteht in der weitaus geringeren Wärmeentwicklung, die die meisten herkömmlichen Regler "sterben" lässt.Seit vielen Jahren haben die in fast allen Zweirädern verbauten, klassischen Spannungsregler einen sogenannten Silizium-Steuergleichrichter in Verwendung, um die Batteriespannung ständig konstant zu halten. Die neue MOSFET Spannungsregler-Technologie wird hauptsächlich wegen seiner optimierten Leistung immer beliebter bei neuen Fahrzeugen.Heutzutage haben Motorräder, Motorroller und ATVs durch die v

Vertikaler N-Kanal-DMOS-FET im Verarmungsmodus Beschreibung Diese Verarmungstransistoren (normally-on) verwenden eine fortschrittliche vertikale DMOS-Struktur und das bewährte Silizium-Gate-Herstellungsverfahren von Supertex. Diese Kombination führt zu Bauelementen mit den Leistungsfähigkeiten von bipolaren Transistoren und mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten, die MOS-Bauelementen eigen sind. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass diese Bauteile frei von thermischem Durchgehen und thermisch induziertem Sekundärdurchbruch sind. Die vertikalen DMOS-FETs von Supertex eignen sich ideal für eine breite Palette von Schalt- und Verstärkungsanwendungen, bei denen eine hohe Durchbruchspannung, eine hohe Eingangsimpedanz, eine niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten gewünscht werden. Merkmale . Hohe Eingangsimpedanz . Niedrige Eingangskapazität . Schnelle Schaltgeschwindigkeiten . Niedriger Einschaltwiderstand . Frei von sekundären Durchschlägen . Geringe Eingangs- und Ausgangsleckage

These depletion-mode (normally-on) transistors utilize an advanced vertical DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, these devices are free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired. . High input impedance . Low input capacitance . Fast switching speeds . Low on-resistance . Free from secondary breakdown . Low input and output leakage Technical Data: . BVdsx: 450 V . RDS: 20 Ohm . Ugs (off): -1,5 ... -3,5 V . Ic: 200 mA

STripFET Power MOSFET General features Exceptional dv/dt capability Low gate charge at 100

STripFET II Power MOSFET General features Exceptional dv/dt capability 100% avalanche tested Application oriented characterization Description This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronis unique "Single Feature Size" strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low onresistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility. Applications Switching application

N-Kanal, Verarmungs-Modus, vertikaler DMOS-FET Beschreibung Bei dem DN2530 handelt es sich um einen niedrigschwelligen Transistor im Verarmungsmodus mit normaler Einschaltdauer, der eine fortschrittliche vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren verwendet. Durch diese Kombination entsteht ein Bauelement mit den Leistungsbelastbarkeiten von Bipolartransistoren sowie der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten, die den Metall-Oxid-Halbleiter-Bauelementen (MOS) eigen sind. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von thermischem Ausreißen und thermisch induziertem sekundärem Durchschlag ist. Vertikale DMOS-Feldeffekttransistoren (FETs) eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkungsanwendungen, bei denen eine hohe Durchbruchspannung, eine hohe Eingangsimpedanz, eine niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind. Merkmale . Hohe Eingangsimpedanz . Niedrige Eingangskapazität . Schnelle Schaltgeschwindigkeiten . Niedriger On-Widerstand . Frei von sekundärer Aufschlüsselung . Geringe Eingangs- und Ausgangsleckage Anwendungen . Normalerweise eingeschaltete Schalter . Festkörper-Relais . Konverter . Lineare Verstärker . Konstantstromquellen . Stromversorgungsschaltungen . Telekommunikation

DN3525 is a low threshold depletion-mode (normally-on) transistor utilizing an advanced vertical DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired. . High input impedance . Low input capacitance . Fast switching speeds . Low on-resistance . Free from secondary breakdown . Low input and output leakage Technical Data: . BVdsx: 250 V . RDS: 6 Ohm . Ugs (off): -1,5 ... -3,5 V . Ic: 300 mA

Der Regler hat die einfache Aufgabe, die Spannung im Bordnetz auch bei stark unterschiedlicher Drehzahl des Motors konstant halten, dadurch die Verbraucher vor einer Überspannung zu schützen und das Überladen der Batterie zu verhindern. MOSFET - Die Revolution der SpannungsregelungMosfet-Transistoren werden verwendet, um elektronische Wellen zu verstärken. Dieses Konzept hat die herkömmliche Drei-Phasen-Spannungsregler Technologie abgelöst, da es weitaus unanfälliger in Punkto Störungen oder Ausfällen ist.Der wesentliche Vorteil besteht in der weitaus geringeren Wärmeentwicklung, die die meisten herkömmlichen Regler "sterben" lässt.Seit vielen Jahren haben die in fast allen Zweirädern verbauten, klassischen Spannungsregler einen sogenannten Silizium-Steuergleichrichter in Verwendung, um die Batteriespannung ständig konstant zu halten. Die neue MOSFET Spannungsregler-Technologie wird hauptsächlich wegen seiner optimierten Leistung immer beliebter bei neuen Fahrzeugen.Heutzutage haben Motorräder, Motorroller und ATVs durch die v

128x160 TFT color display. New boot voltage detection. Automatically test a component's pins and display them the LCD. Measure MOSFET gate...

These low threshold depletion-mode (normally-on) transistors utilize an advanced vertical DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, these devices are free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired. . High input impedance . Low input capacitance . Fast switching speeds . Low on-resistance . Free from secondary breakdown . Low input and output leakage Technical Data: . BVdsx: 500 V . Ugs (off): -1,5 ... 3,5 V . RDS: 10 Ohm . Ic: 700 mA

The LND150 is a high voltage N-channel depletion mode (normally-on) transistor utilizing lateral DMOS technology. The gate is ESD protected. The LND150 is ideal for high voltage applications in the areas of normally-on switches, precision constant current sources, voltage ramp generation and amplification. . Free from secondary breakdown . Low power drive requirement . Ease of paralleling . Excellent thermal stability . Integral source-drain diode . High input impedance and low CISS . ESD gate protection Technical Data: . BVdsx: 500 V . RDS: 1000 Ohm . Ugs (off): -1,0 ... -3,0 V . RDS: 1 kOhm . Ic: 1 mA

Der Regler hat die einfache Aufgabe, die Spannung im Bordnetz auch bei stark unterschiedlicher Drehzahl des Motors konstant halten, dadurch die Verbraucher vor einer Überspannung zu schützen und das Überladen der Batterie zu verhindern. MOSFET - Die Revolution der SpannungsregelungMosfet-Transistoren werden verwendet, um elektronische Wellen zu verstärken. Dieses Konzept hat die herkömmliche Drei-Phasen-Spannungsregler Technologie abgelöst, da es weitaus unanfälliger in Punkto Störungen oder Ausfällen ist.Der wesentliche Vorteil besteht in der weitaus geringeren Wärmeentwicklung, die die meisten herkömmlichen Regler "sterben" lässt.Seit vielen Jahren haben die in fast allen Zweirädern verbauten, klassischen Spannungsregler einen sogenannten Silizium-Steuergleichrichter in Verwendung, um die Batteriespannung ständig konstant zu halten. Die neue MOSFET Spannungsregler-Technologie wird hauptsächlich wegen seiner optimierten Leistung immer beliebter bei neuen Fahrzeugen.Heutzutage haben Motorräder, Motorroller und ATVs durch die v