mosfet transistor

Transistor SMD N-FET SOT-23 50V 0,22A

SIPMOS Small-Signal-Transistor Features . N-channel . Depletion mode . dv /dt rated . Available with VGS(th) indicator on reel . Pb-free lead plating; RoHS compliant . Qualified according to AEC Q101

Zetex Transistor Gehäuse: SOT-23 N-Channel Mosfet

SIPMOS Small-Signal-Transistor Feature N-Channel Enhancement mode dv/dt rated Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to AEC Q101 Halogenfree according to IEC61249221

Transistor N-FET TO-92 60V 0,5A 0,35W

SIPMOS Small-Signal-Transistor Features . P-Channel . Enhancement mode . Normal level . Avalanche rated . Pb-free lead plating; RoHS compliant ° Halogen-free according to IEC61249_2_21 ° Qualified according to AEC Q101

DN2540 is a low threshold depletion mode (normally-on) transistor utilizing an advanced vertical DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired. . High input impedance . Low input capacitance . Fast switching speeds . Low on-resistance . Free from secondary breakdown . Low input and output leakage Technical Data: . BVdsx: 400 V . RDS: 25 Ohm . Ugs (off): -1,5 ... -3,5 V . Ic: 150 mA

SIPMOS Power-Transistor Feature N-Channel Enhancement mode Logic Level dv/dt rated Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to AEC Q101 Halogenfree according to IEC61249221

Dieser Leistungs-MOSFET ist die neueste Entwicklung des einzigartigen streifenbasierten "Single Feature Size"-Prozesses von STMicroelectronics. Der resultierende Transistor weist eine extrem hohe Packungsdichte für einen niedrigen Einschaltwiderstand, robuste Avalanche-Eigenschaften und weniger kritische Ausrichtungsschritte auf, was zu einer bemerkenswerten Reproduzierbarkeit bei der Herstellung führt. Eigenschaften . außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit . 100% Avalanche-getestet . Anwendungsorientierte Charakterisierung Anwendungen . Schaltanwendung

DN2540 is a low threshold depletion mode (normally-on) transistor utilizing an advanced vertical DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired. . High input impedance . Low input capacitance . Fast switching speeds . Low on-resistance . Free from secondary breakdown . Low input and output leakage Technical Data: . BVdsx: 400 V . RDS: 25 Ohm . Ugs (off): -1,5 ... -3,5 V . Ic: 150 mA

Der Regler hat die einfache Aufgabe, die Spannung im Bordnetz auch bei stark unterschiedlicher Drehzahl des Motors konstant halten, dadurch die Verbraucher vor einer Überspannung zu schützen und das Überladen der Batterie zu verhindern. MOSFET - Die Revolution der SpannungsregelungMosfet-Transistoren werden verwendet, um elektronische Wellen zu verstärken. Dieses Konzept hat die herkömmliche Drei-Phasen-Spannungsregler Technologie abgelöst, da es weitaus unanfälliger in Punkto Störungen oder Ausfällen ist.Der wesentliche Vorteil besteht in der weitaus geringeren Wärmeentwicklung, die die meisten herkömmlichen Regler "sterben" lässt.Seit vielen Jahren haben die in fast allen Zweirädern verbauten, klassischen Spannungsregler einen sogenannten Silizium-Steuergleichrichter in Verwendung, um die Batteriespannung ständig konstant zu halten. Die neue MOSFET Spannungsregler-Technologie wird hauptsächlich wegen seiner optimierten Leistung immer beliebter bei neuen Fahrzeugen.Heutzutage haben Motorräder, Motorroller und ATVs durch die v

Der Regler hat die einfache Aufgabe, die Spannung im Bordnetz auch bei stark unterschiedlicher Drehzahl des Motors konstant halten, dadurch die Verbraucher vor einer Überspannung zu schützen und das Überladen der Batterie zu verhindern. MOSFET - Die Revolution der SpannungsregelungMosfet-Transistoren werden verwendet, um elektronische Wellen zu verstärken. Dieses Konzept hat die herkömmliche Drei-Phasen-Spannungsregler Technologie abgelöst, da es weitaus unanfälliger in Punkto Störungen oder Ausfällen ist.Der wesentliche Vorteil besteht in der weitaus geringeren Wärmeentwicklung, die die meisten herkömmlichen Regler "sterben" lässt.Seit vielen Jahren haben die in fast allen Zweirädern verbauten, klassischen Spannungsregler einen sogenannten Silizium-Steuergleichrichter in Verwendung, um die Batteriespannung ständig konstant zu halten. Die neue MOSFET Spannungsregler-Technologie wird hauptsächlich wegen seiner optimierten Leistung immer beliebter bei neuen Fahrzeugen.Heutzutage haben Motorräder, Motorroller und ATVs durch die v

SIPMOS Small-Signal-Transistor Features . P-Channel . Enhancement mode . Logic level . Avalanche rated . dv /dt rated . Pb-free lead plating; RoHS compliant . Qualified according to AEC Q101

Das Buch "Layout Techniques in MOSFETs" von Salvador Pinillos Gimenez bietet eine umfassende Analyse innovativer Layout-Techniken zur Verbesserung der elektrischen Leistung und der Strahlungstoleranz von planar aufgebauten MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors). Es wird detailliert beschrieben, wie durch gezielte Änderungen im Layout, insbesondere im Bereich der pn-Übergänge und der Gate-Anordnung, signifikante Vorteile erzielt werden können, ohne die bestehenden Herstellungsprozesse der CMOS-ICs zu verteuern. Die vorgestellten Layout-Strukturen ermöglichen die Nutzung neuartiger Effekte, die in der Halbleiterindustrie bislang wenig Beachtung fanden. Das Buch stützt sich auf umfangreiche 3D-Simulationen und experimentelle Ergebnisse, um die Wirksamkeit dieser Techniken zu belegen und zeigt auf, wie Designer die Spezifikationen für analoge und digitale CMOS-ICs effizient erreichen können. Die vorgestellten Ansätze versprechen eine signifikante Steigerung der elektrischen Leistung und Robustheit gegenüber ionisierender Strahlung.

DN2535 is a low threshold depletion mode (normally-on) transistor utilizing an advanced vertical DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired. . High input impedance . Low input capacitance . Fast switching speeds . Low on-resistance . Free from secondary breakdown . Low input and output leakage Technical Data: . BVdsx: 350 V . RDS: 25 Ohm . Ugs: -1,5 ... -3,5 V . Ic: 150 mA

Power MOSFET FEATURES . Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement . Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness . Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and current . Lead (Pb)-free Available APPLICATIONS . Switch Mode Power Supply (SMPS) . Uninterruptible Power Supply . High Speed Power Switching APPLICABLE OFF LINE SMPS TOPOLOGIES . Two Transistor Forward . Half and Full Bridge . Power Factor Correction Boost

These low threshold depletion-mode (normally-on) transistors utilize an advanced vertical DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, these devices are free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired. . High input impedance . Low input capacitance . Fast switching speeds . Low on-resistance . Free from secondary breakdown . Low input and output leakage Technical Data: . BVdsx: 500 V . Ugs (off): -1,5 ... 3,5 V . RDS: 10 Ohm . Ic: 700 mA

CMOS-Transistoren

BSS84P, SIPMOS Kleinsignal-Transistor Features: . P-Kanal . Anreicherungs-Modus . Logischer Pegel . Avalanche-bewertet . dv/dt-bewertet . Pb-freie Bleiplattierung; RoHS-konform . Qualifiziert nach AEC Q101 . Halogenfrei nach IEC61249-2-21 Lieferung in kompletter Industrieverpackung (7-Zoll-Rolle a 3000 Stück) möglich, sprechen sie mit unserer Angebotsabteilung!

Eingebaute 300 mAh 3,7 V Lithiumbatterie, kann wiederaufladbar sein. Anzeige mittels TFT 1,8 Zoll Farbdisplay, grafische Darstellung diverser Parameter. Erkennt automatisch Komponenten wie NPN- und PNP-Transistoren, N-Kanal- und P-Kanal-MOSFETs, IGBT-Dioden (einschließlich Doppeldioden), Thyristoren, Transistoren, Widerstände und Kondensatoren. Testen Sie automatisch das Pin-Layout des Bauteils und stellen Sie es grafisch auf dem Farbbildschirm dar. Kann Infrarotcode erkennen (unterstützt Infrarot-Fernbedienung im NEC-Format).

DN3135 is a low threshold depletion-mode (normally-on) transistor utilizing an advanced vertical DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired. . High input impedance . Low input capacitance . Fast switching speeds . Low on-resistance . Free from secondary breakdown . Low input and output leakage Technical Data: . BVdsx: 350 V . RDS: 35 Ohm . Ugs (off): -1,5 ... -3,5 V . Ic: 180 mA

STP40NF10 Dieser N-Kanal-100-V-Leistungs-MOSFET ist die jüngste Entwicklung des einzigartigen streifenbasierten Prozesses von STMicroelectronics mit nur einem Merkmal. Der daraus resultierende Transistor weist eine extrem hohe Packungsdichte für einen niedrigen On-Widerstand, robuste Avalanche-Eigenschaften und weniger kritische Ausrichtungsschritte auf, was eine bemerkenswerte Reproduzierbarkeit bei der Herstellung ermöglicht. Eigenschaften . außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit . niedrige Gate-Ladung . 100% Avalanche-getestet Anwendung . Schaltanwendungen

Der Regler hat die einfache Aufgabe, die Spannung im Bordnetz auch bei stark unterschiedlicher Drehzahl des Motors konstant halten, dadurch die Verbraucher vor einer Überspannung zu schützen und das Überladen der Batterie zu verhindern. MOSFET - Die Revolution der SpannungsregelungMosfet-Transistoren werden verwendet, um elektronische Wellen zu verstärken. Dieses Konzept hat die herkömmliche Drei-Phasen-Spannungsregler Technologie abgelöst, da es weitaus unanfälliger in Punkto Störungen oder Ausfällen ist.Der wesentliche Vorteil besteht in der weitaus geringeren Wärmeentwicklung, die die meisten herkömmlichen Regler "sterben" lässt.Seit vielen Jahren haben die in fast allen Zweirädern verbauten, klassischen Spannungsregler einen sogenannten Silizium-Steuergleichrichter in Verwendung, um die Batteriespannung ständig konstant zu halten. Die neue MOSFET Spannungsregler-Technologie wird hauptsächlich wegen seiner optimierten Leistung immer beliebter bei neuen Fahrzeugen.Heutzutage haben Motorräder, Motorroller und ATVs durch die v

STripFET II Power MOSFET Description This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique "Single Feature Size" strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalance characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility. Applications Motor control High current, switching application

Beschreibung Dieser Leistungs-MOSFET ist die neueste Entwicklung des einzigartigen streifenbasierten "Single Feature Size"-Prozesses von STMicroelectronics. Der daraus resultierende Transistor weist eine extrem hohe Packungsdichte für einen niedrigen On-Widerstand, robuste Avalanche-Eigenschaften und weniger kritische Ausrichtungsschritte auf, was zu einer bemerkenswerten Reproduzierbarkeit bei der Herstellung führt. Eigenschaften . außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit . 100% Avalanche-getestet . niedrige Schwellenansteuerung Anwendungen . Schaltanwendungen

STripFET II POWER MOSFET Dieser Leistungs-MOSFET ist die neueste Entwicklung von STMicroelectronis einzigartiger "Single Feature Size" Prozesses auf Streifenbasis. Der resultierende Transistor weist eine extrem hohe Packungsdichte für einen niedrigen On-Widerstand auf, robuste Avalanche-Eigenschaften und weniger kritische Ausrichtungsschritte und damit eine bemerkenswerte Reproduzierbarkeit bei der Herstellung. Hinweis Ersatz für BUZ71A

STP55NF06L, STB55NF06L - STB55NF06L-1 Beschreibung Dieser Leistungs-MOSFET ist die neueste Entwicklung von STMicroelectronis einzigartigem "Single Feature Size"-Prozess auf Streifenbasis. Der resultierende Transistor weist eine extrem hohe Packungsdichte für einen niedrigen On-Widerstand, robuste Avalanche-Eigenschaften und weniger kritische Ausrichtungsschritte und damit eine bemerkenswerte Fertigungsreproduzierbarkeit. Merkmale . Außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit . 100% Avalanche-getestet . Anwendungsorientierte Charakterisierung

Power MOSFET FEATURES . Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement . Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness . Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current . Effective Coss Specified . Compliant to RoHS directive 2002/95/EC APPLICATIONS . Switch Mode Power Supply (SMPS) . Uninterruptible Power Supply . High Speed Power Switching . High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s, f = 60 Hz) TYPICAL SMPS TOPOLOGIES . Two Transistor Forward . Half and Full Bridge Convertors . Power Factor Correction Boost

Der Regler hat die einfache Aufgabe, die Spannung im Bordnetz auch bei stark unterschiedlicher Drehzahl des Motors konstant halten, dadurch die Verbraucher vor einer Überspannung zu schützen und das Überladen der Batterie zu verhindern. MOSFET - Die Revolution der SpannungsregelungMosfet-Transistoren werden verwendet, um elektronische Wellen zu verstärken. Dieses Konzept hat die herkömmliche Drei-Phasen-Spannungsregler Technologie abgelöst, da es weitaus unanfälliger in Punkto Störungen oder Ausfällen ist.Der wesentliche Vorteil besteht in der weitaus geringeren Wärmeentwicklung, die die meisten herkömmlichen Regler "sterben" lässt.Seit vielen Jahren haben die in fast allen Zweirädern verbauten, klassischen Spannungsregler einen sogenannten Silizium-Steuergleichrichter in Verwendung, um die Batteriespannung ständig konstant zu halten. Die neue MOSFET Spannungsregler-Technologie wird hauptsächlich wegen seiner optimierten Leistung immer beliebter bei neuen Fahrzeugen.Heutzutage haben Motorräder, Motorroller und ATVs durch die v

STripFET II Power MOSFET Features Exceptional dv/dt capability Low gate charge Description This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique "single feature size" strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low onresistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility. Applications Switching application