mosfet transistor

Power MOSFET FEATURES . Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement . Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness . Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and current . Lead (Pb)-free Available APPLICATIONS . Switch Mode Power Supply (SMPS) . Uninterruptible Power Supply . High Speed Power Switching APPLICABLE OFF LINE SMPS TOPOLOGIES . Two Transistor Forward . Half and Full Bridge . Power Factor Correction Boost

DN3525 is a low threshold depletion-mode (normally-on) transistor utilizing an advanced vertical DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired. . High input impedance . Low input capacitance . Fast switching speeds . Low on-resistance . Free from secondary breakdown . Low input and output leakage Technical Data: . BVdsx: 350 V . RDS: 10 Ohm . Ugs (off): -1,5 ... -3,5 V . Ic: 300 mA

The DN2530 is a low threshold depletion-mode (normally-on) transistor utilizing an advanced vertical DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired. . High input impedance . Low input capacitance . Fast switching speeds . Low on-resistance . Free from secondary breakdown . Low input and output leakage Technical Data: . BVdsx: 300 V . RDS: 12 Ohm . Ugs: -1,0 ... -3,5 V

Das Buch "Fundamentals of Nanoscaled Field Effect Transistors" bietet eine umfassende Analyse der grundlegenden physikalischen Prinzipien und Theorien, die hinter nanoskaligen Transistoren stehen. Es behandelt spezifische Herausforderungen, die bei nanoskaligen MOSFETs auftreten, wie quantenmechanisches Tunneln und die Quantisierung der Inversionsschicht. Darüber hinaus werden Lösungen für diese Herausforderungen vorgestellt, einschliesslich fortschrittlicher Technologien wie dehnbares Silizium, alternative Gerätearchitekturen und Graphentechnologie. Das Buch enthält auch Fallstudien, die die behandelten Probleme und deren Lösungen veranschaulichen, und bietet somit einen tiefen Einblick in die aktuellen Entwicklungen und Herausforderungen im Bereich der nanoskaligen Transistoren.

HiPerFET Leistungs-MOSFET stehen jetzt auch als Q-Klasse zur Verfügung. Bei dieser Reihe wurde durch einen neuen Chip eine geringere Eingangskapazität realisiert. Dadurch kann der Transistor auch bei hohen Frequenzen mit verringerter Ansteuerleistung durchgeschaltet werden. High Performance MOSFETs mit schneller Inversdiode Ausgelegt für hohe dv/dt-Festigkeit bei Stromkommutierung Keine externen Freilaufdioden bei Brückenschaltung mit induktiver Last nötig

STripFET II Power MOSFET General features Exceptional dv/dt capability 100% avalanche tested Application oriented characterization Description This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique "Single Feature Size" stripbased process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility. Applications Switching application

STripFET II Power MOSFET General features Exceptional dv/dt capability Application oriented characterization 100% avalanche tested Description This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique "Single Feature Size" strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility. Applications Switching application

STripFET II POWER MOSFE General Features TYPICAL RDS(on) = 0.060 ¶ LOGIC LEVEL DEVICE SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252) DESCRIPTION This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronis unique "Single Feature Size" strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low onresistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility APPLICATIONS SWITCHING APPLICATIONS

N-Kanal TrenchMOS transistor Logic level FET Merkmale Trench-Technologie Extrem schnelles Schalten Logic level kompatibel Subminiatur-Gehäuse für Oberflächenmontage Anwendungen Relaistreiber Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber Telefonklingel

Das Produkt kann häufig zur Erkennung von NPN- und PNP-Transistoren, Kondensatoren, Widerständen, Dioden, Transistoren, N-Kanal- und P-Kanal-MOSFETs, IGBT, JFET, Triacs und Batterien verwendet werden. Mit dem Tester können Infrarotwellenformen und Zenerdioden erfasst werden Richten Sie bei der Selbstkalibrierungsfunktion nach der Erkennung die Infrarot-Fernbedienung auf das "IR" -Licht aus und drücken Sie dann die Taste auf der Fernbedienung. Wenn der Detektor erfolgreich dekodiert, werden der Datencode und die Infrarot-Wellenform angezeigt Einfache Bedienung, eine Taste zum Bedienen, automatische Erkennung und Abschaltung. Sie können auch die Multifunktionstaste drücken, um den Detektor zu schließen Platzieren Sie den Stift der Komponente im entsprechenden Bereich und schalten Sie dann den kleinen Griff um. Der Detektor testet automatisch und das Ergebnis wird deutlich auf dem hintergrundbeleuchteten TFT-Bildschirm angezeigt

STP40NF10 Dieser N-Kanal-100-V-Leistungs-MOSFET ist die jüngste Entwicklung des einzigartigen streifenbasierten Prozesses von STMicroelectronics mit nur einem Merkmal. Der daraus resultierende Transistor weist eine extrem hohe Packungsdichte für einen niedrigen On-Widerstand, robuste Avalanche-Eigenschaften und weniger kritische Ausrichtungsschritte auf, was eine bemerkenswerte Reproduzierbarkeit bei der Herstellung ermöglicht. Eigenschaften . außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit . niedrige Gate-Ladung . 100% Avalanche-getestet Anwendung . Schaltanwendungen

Der Regler hat die einfache Aufgabe, die Spannung im Bordnetz auch bei stark unterschiedlicher Drehzahl des Motors konstant halten, dadurch die Verbraucher vor einer Überspannung zu schützen und das Überladen der Batterie zu verhindern. MOSFET - Die Revolution der SpannungsregelungMosfet-Transistoren werden verwendet, um elektronische Wellen zu verstärken. Dieses Konzept hat die herkömmliche Drei-Phasen-Spannungsregler Technologie abgelöst, da es weitaus unanfälliger in Punkto Störungen oder Ausfällen ist.Der wesentliche Vorteil besteht in der weitaus geringeren Wärmeentwicklung, die die meisten herkömmlichen Regler "sterben" lässt.Seit vielen Jahren haben die in fast allen Zweirädern verbauten, klassischen Spannungsregler einen sogenannten Silizium-Steuergleichrichter in Verwendung, um die Batteriespannung ständig konstant zu halten. Die neue MOSFET Spannungsregler-Technologie wird hauptsächlich wegen seiner optimierten Leistung immer beliebter bei neuen Fahrzeugen.Heutzutage haben Motorräder, Motorroller und ATVs durch die v

Der Regler hat die einfache Aufgabe, die Spannung im Bordnetz auch bei stark unterschiedlicher Drehzahl des Motors konstant halten, dadurch die Verbraucher vor einer Überspannung zu schützen und das Überladen der Batterie zu verhindern. MOSFET - Die Revolution der SpannungsregelungMosfet-Transistoren werden verwendet, um elektronische Wellen zu verstärken. Dieses Konzept hat die herkömmliche Drei-Phasen-Spannungsregler Technologie abgelöst, da es weitaus unanfälliger in Punkto Störungen oder Ausfällen ist.Der wesentliche Vorteil besteht in der weitaus geringeren Wärmeentwicklung, die die meisten herkömmlichen Regler "sterben" lässt.Seit vielen Jahren haben die in fast allen Zweirädern verbauten, klassischen Spannungsregler einen sogenannten Silizium-Steuergleichrichter in Verwendung, um die Batteriespannung ständig konstant zu halten. Die neue MOSFET Spannungsregler-Technologie wird hauptsächlich wegen seiner optimierten Leistung immer beliebter bei neuen Fahrzeugen.Heutzutage haben Motorräder, Motorroller und ATVs durch die v

Dient zur Erkennung von NPN - und PNP - Transistoren, Kondensatoren, Widerständen, Dioden, Trioden, N - Kanal - und P - Kanal - MOSFETs, IGBTs, JFETs, Triacs und Batterien usw Kann auch zur Erkennung von Infrarotwellenformen und Zener-Dioden verwendet werden und hat die Funktion der Selbstkalibrierung Der Datencode und die Infrarot-Wellenform werden angezeigt, wenn der Detektor erfolgreich dekodiert wurde. Ein Tastendruck, automatische Erkennung und Abschaltung, und Sie können die Multifunktionstaste drücken, um den Detektor zu schließen Feine Kunstfertigkeit und gute Leistung. Haltbar und bedienungsfreundlich

Power MOSFET FEATURES . Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement . Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness . Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current . Effective Coss Specified . Compliant to RoHS directive 2002/95/EC APPLICATIONS . Switch Mode Power Supply (SMPS) . Uninterruptible Power Supply . High Speed Power Switching . High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s, f = 60 Hz) TYPICAL SMPS TOPOLOGIES . Two Transistor Forward . Half and Full Bridge Convertors . Power Factor Correction Boost

Der Hochgeschwindigkeits-TRENCHSTOP IGBT3 mit 600 V und 30 A in einem TO263 D2Pak-Gehäuse bietet den besten Kompromiss zwischen Schalt- und Leitungsverlusten. Das Hauptmerkmal dieser Familie ist ein MOSFET-ähnliches Abschaltverhalten, das zu geringen Abschaltverlusten führt. Zusammenfassung der Merkmale Niedrige Schaltverluste für hohen Wirkungsgrad Ausgezeichnetes Vce(sat)-Verhalten dank der bekannten Infineon TRENCHSTOP-Technologie Schnelles Schaltverhalten mit geringer EMI-Emission Auswahl eines niedrigen Gate-Widerstands möglich (bis zu 5O) unter Beibehaltung eines hervorragenden Schaltverhaltens Kurzschlussfähigkeit 5µs Bietet Tj(max) von 175°C Gehäuse mit und ohne Freilaufdiode für mehr Designfreiheit

Das Fachbuch "Fundamentals of Nanoscaled Field Effect Transistors" bietet eine umfassende Analyse der grundlegenden physikalischen Prinzipien und Theorien, die hinter nanoskaligen Transistoren stehen. Es behandelt spezifische Herausforderungen, die bei nanoskaligen MOSFETs auftreten, wie quantenmechanisches Tunneln und die Quantisierung der Inversionsschicht. Darüber hinaus werden Lösungen für diese Probleme, einschliesslich Hoch-κ-Technologie, gestrecktem Silizium, alternativen Gerätearchitekturen und Graphen-Technologie, detailliert erläutert. Das Buch enthält auch Fallstudien zu den behandelten Themen und Lösungen, um das Verständnis zu vertiefen. Die klare Struktur und die fundierte Darstellung machen es zu einer wertvollen Ressource für Studierende und Fachleute im Bereich Technik und IT.

Der Regler hat die einfache Aufgabe, die Spannung im Bordnetz auch bei stark unterschiedlicher Drehzahl des Motors konstant halten, dadurch die Verbraucher vor einer Überspannung zu schützen und das Überladen der Batterie zu verhindern. MOSFET - Die Revolution der SpannungsregelungMosfet-Transistoren werden verwendet, um elektronische Wellen zu verstärken. Dieses Konzept hat die herkömmliche Drei-Phasen-Spannungsregler Technologie abgelöst, da es weitaus unanfälliger in Punkto Störungen oder Ausfällen ist.Der wesentliche Vorteil besteht in der weitaus geringeren Wärmeentwicklung, die die meisten herkömmlichen Regler "sterben" lässt.Seit vielen Jahren haben die in fast allen Zweirädern verbauten, klassischen Spannungsregler einen sogenannten Silizium-Steuergleichrichter in Verwendung, um die Batteriespannung ständig konstant zu halten. Die neue MOSFET Spannungsregler-Technologie wird hauptsächlich wegen seiner optimierten Leistung immer beliebter bei neuen Fahrzeugen.Heutzutage haben Motorräder, Motorroller und ATVs durch die v

Das Fachbuch "Nanowire Field Effect Transistors: Principles and Applications" bietet eine umfassende Einführung in die Grundlagen und Anwendungen von Nanowire-Feldeffekttransistoren (NWFET). Es behandelt die physikalischen Prinzipien und die Elektronik dieser innovativen Bauelemente in kompakter Form. Besondere Aufmerksamkeit wird der Rolle des p-n-Übergangs und des MOSFETs gewidmet, die als grundlegende Elemente in der Funktionsweise von NWFET dienen. Das Buch beleuchtet verschiedene Anwendungen, darunter Fotodioden, Solarzellen, LEDs, DRAM, Flash-EEPROM und Sensoren, und bietet einen Vergleich mit MOSFETs zur besseren Modellierung. Die Autoren konzentrieren sich auf die Verarbeitung, den elektrostatischen Entladungsmechanismus (ESD) und die praktischen Anwendungen von NWFET, einschliesslich biologischer und chemischer Sensoren sowie Displays. Dieses Buch richtet sich an Wissenschaftler, Ingenieure und Studierende, die ein fundiertes Wissen über NWFET erwerben möchten.

【Multifunktions-Transistor-Tester】Vollautomatische intelligente Erkennung verschiedener elektronischer Bauteile inklusive NPN/PNP-Transistoren, N-Kanal- und P-Kanal-MOSFETs, JFETs, Dioden, N-Typ/P-Typ-IGBTs, Thyristoren, TRIACs, Induktivitäten, Widerstände und Kondensatoren. Dieser vielseitige Tester ist der ideale Begleiter für Elektronikreparaturen, Experimente und DIY-Projekte. 【Einfache Bedienung】Der Bauteiltester erkennt automatisch Pin-Belegungen und Parameter, bestimmt schnell Bauteiltyp und Spezifikationen. Durch das klare Display und intuitive Rückmeldung sind alle Messungen präzise und zuverlässig. Das benutzerfreundliche Design steigert sofort Ihre Effizienz. 【Ein-Knopf-Messung】Ausgestattet mit einem leistungsstarken ATmega328P-Mikrocontroller liefert dieser Tester schnelle Ergebnisse auf Knopfdruck. Die automatische Abschaltfunktion spart Energie und macht ihn besonders praktisch. 【Universelle USB-C-Stromversorgung】Mit USB-Type-C-Anschluss kompatibel zu jedem Netzteil, Powerbank oder USB-Port - so haben Sie nie Probleme mit leerem Akku. Überall einsatzbereit, wann immer Sie ihn brauchen. 【Wichtiger Hinweis】Kondensatoren müssen vor der Messung vollständig entladen werden, um Beschädigungen des Geräts zu vermeiden.

STripFET Power MOSFET General features Exceptional dv/dt capability Low gate charge at 100

Der Regler hat die einfache Aufgabe, die Spannung im Bordnetz auch bei stark unterschiedlicher Drehzahl des Motors konstant halten, dadurch die Verbraucher vor einer Überspannung zu schützen und das Überladen der Batterie zu verhindern. MOSFET - Die Revolution der SpannungsregelungMosfet-Transistoren werden verwendet, um elektronische Wellen zu verstärken. Dieses Konzept hat die herkömmliche Drei-Phasen-Spannungsregler Technologie abgelöst, da es weitaus unanfälliger in Punkto Störungen oder Ausfällen ist.Der wesentliche Vorteil besteht in der weitaus geringeren Wärmeentwicklung, die die meisten herkömmlichen Regler "sterben" lässt.Seit vielen Jahren haben die in fast allen Zweirädern verbauten, klassischen Spannungsregler einen sogenannten Silizium-Steuergleichrichter in Verwendung, um die Batteriespannung ständig konstant zu halten. Die neue MOSFET Spannungsregler-Technologie wird hauptsächlich wegen seiner optimierten Leistung immer beliebter bei neuen Fahrzeugen.Heutzutage haben Motorräder, Motorroller und ATVs durch die v

The LND150 is a high voltage N-channel depletion mode (normally-on) transistor utilizing lateral DMOS technology. The gate is ESD protected. The LND150 is ideal for high voltage applications in the areas of normally-on switches, precision constant current sources, voltage ramp generation and amplification. . Free from secondary breakdown . Low power drive requirement . Ease of paralleling . Excellent thermal stability . Integral source-drain diode . High input impedance and low CISS . ESD gate protection Technical Data: . BVdsx: 500 V . RDS: 1000 Ohm . Ugs (off): -1,0 ... -3,0 V . RDS: 1 kOhm . Ic: 1 mA

These low threshold depletion-mode (normally-on) transistors utilize an advanced vertical DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, these devices are free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired. . High input impedance . Low input capacitance . Fast switching speeds . Low on-resistance . Free from secondary breakdown . Low input and output leakage Technical Data: . BVdsx: 500 V . Ugs (off): -1,5 ... 3,5 V . RDS: 10 Ohm . Ic: 700 mA

DN3525 is a low threshold depletion-mode (normally-on) transistor utilizing an advanced vertical DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired. . High input impedance . Low input capacitance . Fast switching speeds . Low on-resistance . Free from secondary breakdown . Low input and output leakage Technical Data: . BVdsx: 250 V . RDS: 6 Ohm . Ugs (off): -1,5 ... -3,5 V . Ic: 300 mA

N-Kanal, Verarmungs-Modus, vertikaler DMOS-FET Beschreibung Bei dem DN2530 handelt es sich um einen niedrigschwelligen Transistor im Verarmungsmodus mit normaler Einschaltdauer, der eine fortschrittliche vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren verwendet. Durch diese Kombination entsteht ein Bauelement mit den Leistungsbelastbarkeiten von Bipolartransistoren sowie der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten, die den Metall-Oxid-Halbleiter-Bauelementen (MOS) eigen sind. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von thermischem Ausreißen und thermisch induziertem sekundärem Durchschlag ist. Vertikale DMOS-Feldeffekttransistoren (FETs) eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkungsanwendungen, bei denen eine hohe Durchbruchspannung, eine hohe Eingangsimpedanz, eine niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind. Merkmale . Hohe Eingangsimpedanz . Niedrige Eingangskapazität . Schnelle Schaltgeschwindigkeiten . Niedriger On-Widerstand . Frei von sekundärer Aufschlüsselung . Geringe Eingangs- und Ausgangsleckage Anwendungen . Normalerweise eingeschaltete Schalter . Festkörper-Relais . Konverter . Lineare Verstärker . Konstantstromquellen . Stromversorgungsschaltungen . Telekommunikation

In heutigen industriellen Automatisierungssystemen spielen speicherprogrammierbare Steuerungen (SPS) eine zentrale Rolle. Sie verbinden über herkömmliche Verkabelung angeschlossene Messinstrumente und Stellglieder mit dem Prozess. Allerdings ist eine SPS nicht vollständig von der Industrieumgebung entkoppelt, sodass Überspannungsspitzen und Übergangsströme durchaus ihre Funktionsfähigkeit beeinflussen können. Um also die angelegte Spannung und/oder Stromstärke anzupassen sowie die SPS mit einer geeigneten galvanischen Trennung zu versehen, sollte pro Ein-/Ausgangspunkt die passende Schnittstelle installiert werden, die sowohl den Spannungs- und Strompegel reguliert als auch einen Trennschutz bietet. Solche Schnittstellen bieten die Relais- und Optokoppler-Baureihen von ABB. Sie erlauben eine breit gefächerte Anpassung der Spannung (von 5 bis 250 V) und Stromstärke (von 0,01 bis 8 A) sowie eine hohe Isolation zwischen Ein- und Ausgang von 2 bis 4 kV. Für hohe Schaltfrequenzen bei geringen Schaltlasten können wahlweise Transistor, MOS-FET oder Triac Ausgänge gewählt werden.

STripFET II Power MOSFET General features Exceptional dv/dt capability 100% avalanche tested Application oriented characterization Description This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronis unique "Single Feature Size" strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low onresistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility. Applications Switching application

Eigenschaften . Niedrige Gate-Ladung Qg führt zu einfachem Antriebsbedarf . verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit . vollständig charakterisierte Kapazität und Avalanche-Spannung und -Strom . effektives Coss spezifiziert . konform mit der RoHS-Richtlinie 2002/95/EC Anwendungen . Schaltnetzteil (SMPS) . Unterbrechungsfreie Stromversorgung . Hochgeschwindigkeits-Schaltnetzteil Typische SMPS-Topologien . zwei Transistoren vorwärts . halbe Brücke . Vollbrücke

Hauptfunktion: Das Display verwendet LCD (128 × 64 Zeichen), um die Gate-Schwellenspannung und die Gate-Kapazität des MOSFET zu messen. Automatische Erkennung von NPN- und PNP-Transistoren, N-Kanal- und P-Kanal-MOSFETs, Dioden (einschließlich Doppeldioden), Thyristoren, Trioden, Widerständen und Kondensatoren. Darunter können die Vergrößerung und die Basis der Triode, der MOSFET-Schutzdiode usw. erfasst werden, und die Vorwärtsspannung der Emittertriode kann bestimmt werden. Energiesparend: Der Abschaltstrom beträgt nur 20nA und unterstützt den Batteriebetrieb. Automatische Abschaltung, um unnötigen Abfall zu vermeiden, Batterieenergie zu sparen und die Batterielebensdauer zu verbessern. Eigenschaften: Verwenden Sie ATmega8, ATmega168 oder Mikrocontroller. Erkennt automatisch das Pin-Layout. Die Testzeit beträgt etwa zwei Sekunden, und nur Kapazitäts- und Induktivitätsmessungen dauern lange. (Abgesehen von der größeren Kapazität dauert die Messung der großen Kapazität lange, eine Messzeit von 1 Minute ist normal). Hinweis: Wenn der Prüfstrom den Haltestrom überschreitet, können SCR und Triac erkannt werden. Einige Halbleiterthyristoren und -triacs haben jedoch höhere Triggerströme, als der Tester liefern kann. Der verfügbare Prüfstrom beträgt nur ca. 6mA! Beachten Sie, dass alle Funktionen nur für Mikrocontroller mit mehr Programmspeicher verwendet werden, wie z. B. ATmega168 Leistungsstarke Funktion: Unterstützt zwei Widerstandsmessungen und Symbolanzeige, hohe vier Stellen und Einheitenanzeige. Ein Kondensator kann erkannt und gemessen werden. Es kann verwendet werden, um die äquivalente Serienwiderstandskapazität (ESR) von Kondensatoren über 2 UF zu messen. Es ist möglich, Vorzeichen für die richtige Richtung für zwei Dioden anzuzeigen. Zenerdioden können erkannt werden.