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100er IRFZ44N IRFZ44 Transistor MOSFET N-Kanal-Verstaerker 49A 55V
100er IRFZ44N IRFZ44 Transistor MOSFET N-Kanal-Verstaerker 49A 55V
MOSFET-Typ: N-Kanal- Aktuelle Bewertung: 49A RDS (): 17.5mΩ Spannung FSK: 55V Farbe: schwarz Menge: 100 Stück Material: Metall ...
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100er IRFZ44N IRFZ44 Transistor MOSFET N-Kanal-Verstaerker 49A 55V
100er IRFZ44N IRFZ44 Transistor MOSFET N-Kanal-Verstaerker 49A 55V
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100er IRFZ44N IRFZ44 Transistor MOSFET N-Kanal-Verstaerker 49A 55V
100er IRFZ44N IRFZ44 Transistor MOSFET N-Kanal-Verstaerker 49A 55V
MOSFET-Typ: N-Kanal- Aktuelle Bewertung: 49A RDS (): 17.5mΩ Spannung FSK: 55V Farbe: schwarz Menge: 100 Stück Material: Metall ...
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TNE 5x Transistor: P-MOSFET 900mW unipolar -2A -20V SOT23 AO3423 P-Kanal-Transistoren _1GH_AO3423
TNE 5x Transistor: P-MOSFET 900mW unipolar -2A -20V SOT23 AO3423 P-Kanal-Transistoren _1GH_AO3423
Hersteller: ALPHA
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 110A unipolar 75V 250W TO263 AOB270AL N-Kanal-Transistore _1GH_AOB270AL
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 110A unipolar 75V 250W TO263 AOB270AL N-Kanal-Transistore _1GH_AOB270AL
Hersteller: ALPHA
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 100V 43W 4A unipolar D2PAK IRF510SPBF N-Kanal-Transistore _1GH_IRF510SPBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 100V 43W 4A unipolar D2PAK IRF510SPBF N-Kanal-Transistore _1GH_IRF510SPBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 4A Verlustleistung: 43W Gehäuse: D2PAK Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 540mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 8.3nC Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET ™ II 60V unipolar 39A 95W STP55NF06L N-Kanal-Transistoren _1GH_STP55NF06L
TNE 1x Transistor: N-MOSFET ™ II 60V unipolar 39A 95W STP55NF06L N-Kanal-Transistoren _1GH_STP55NF06L
Hersteller: STMicroelectronics Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ II Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 39A Verlustleistung: 95W Gehäuse: TO220-3 Gate-Source Spannung: 16V Widerst im Leitungszust: 18mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 56A 55V 48W FP IRFI3205PBF N-Kanal-Transistoren _1GH_IRFI3205PBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 56A 55V 48W FP IRFI3205PBF N-Kanal-Transistoren _1GH_IRFI3205PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 56A Verlustleistung: 48W Gehäuse: TO220FP Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 8mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 113.3nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 330W 40V 280A IRF2804PBF N-Kanal-Transistoren THT unipolar _1GH_IRF2804PBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 330W 40V 280A IRF2804PBF N-Kanal-Transistoren THT unipolar _1GH_IRF2804PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 280A Verlustleistung: 330W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 2.3mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 160nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 90W 710V 12A unipolar DPAK STD16N65M5 N-Kanal-Transistore _1GH_STD16N65M5
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 90W 710V 12A unipolar DPAK STD16N65M5 N-Kanal-Transistore _1GH_STD16N65M5
Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 90W Polarisierung: unipolar Technologie: MDmesh™ Drainstrom: 12A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 710V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: DPAK Widerst im Leitungszust: 279mΩ Gate-Source Spannung: 25V
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 100A unipolar 80V 188W -3 CSD19503KCS N-Kanal-Transistore _1GH_CSD19503KCS
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 100A unipolar 80V 188W -3 CSD19503KCS N-Kanal-Transistore _1GH_CSD19503KCS
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: NexFET™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 80V Drainstrom: 100A Verlustleistung: 188W Gehäuse: TO220-3 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 7.6mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 28nC Verpackungs-Art: Tube Dicke Kühlkörper: 1.14...1.4mm
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 55V 56W IRLZ34NPBF N-Kanal-Transistoren THT unipolar 27A _1GH_IRLZ34NPBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 55V 56W IRLZ34NPBF N-Kanal-Transistoren THT unipolar 27A _1GH_IRLZ34NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 27A Verlustleistung: 56W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 16V Widerst im Leitungszust: 35mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 16.7nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET -5A -30V unipolar AO4403 P-Kanal-Transistoren SMD 2W _1GH_AO4403
TNE 1x Transistor: P-MOSFET -5A -30V unipolar AO4403 P-Kanal-Transistoren SMD 2W _1GH_AO4403
Hersteller: ALPHA
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 34A 150V 46W unipolar FP IRFI4321PBF N-Kanal-Transistoren _1GH_IRFI4321PBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 34A 150V 46W unipolar FP IRFI4321PBF N-Kanal-Transistoren _1GH_IRFI4321PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 34A Verlustleistung: 46W Gehäuse: TO220FP Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 10A 100V 30W unipolar TO251A AOI4286 N-Kanal-Transistoren _1GH_AOI4286
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 10A 100V 30W unipolar TO251A AOI4286 N-Kanal-Transistoren _1GH_AOI4286
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET -30V unipolar 45W -67A TO251A AOI423 P-Kanal-Transistoren _1GH_AOI423
TNE 1x Transistor: P-MOSFET -30V unipolar 45W -67A TO251A AOI423 P-Kanal-Transistoren _1GH_AOI423
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 14A unipolar 48W 50V DPAK RFD14N05SM9A N-Kanal-Transistor _1GH_RFD14N05SM9A
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 14A unipolar 48W 50V DPAK RFD14N05SM9A N-Kanal-Transistor _1GH_RFD14N05SM9A
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Montage: SMD Verlustleistung: 48W Gate-Ladung: 40nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 14A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 50V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: DPAK Widerst im Leitungszust: Ω Gate-Source Spannung: 20V
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 88W 100V 10A IRF530PBF N-Kanal-Transistoren THT unipolar _1GH_IRF530PBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 88W 100V 10A IRF530PBF N-Kanal-Transistoren THT unipolar _1GH_IRF530PBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 10A Verlustleistung: 88W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 160mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 26nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 100V unipolar 22A 45W FP IRFI131ONPBF N-Kanal-Transistore _1GH_IRFI1310NPBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 100V unipolar 22A 45W FP IRFI131ONPBF N-Kanal-Transistore _1GH_IRFI1310NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 22A Verlustleistung: 45W Gehäuse: TO220FP Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 36mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 80nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET 12A unipolar 30V 30W DPAK STD17NF03LT4 N-Kanal-Transistor _1GH_STD17NF03LT4
TNE 3x Transistor: N-MOSFET 12A unipolar 30V 30W DPAK STD17NF03LT4 N-Kanal-Transistor _1GH_STD17NF03LT4
Hersteller: STMicroelectronics Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: SuperMesh™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 12A Verlustleistung: 30W Gehäuse: DPAK Gate-Source Spannung: 16V Widerst im Leitungszust: 60mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET -55V -12A 45W IRF9Z24NPBF P-Kanal-Transistoren THT unipolar _1GH_IRF9Z24NPBF
TNE 1x Transistor: P-MOSFET -55V -12A 45W IRF9Z24NPBF P-Kanal-Transistoren THT unipolar _1GH_IRF9Z24NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: P-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -55V Drainstrom: -12A Verlustleistung: 45W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 0.175Ω Montage: THT Gate-Ladung: 12.7nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 120A 75V 330W unipolar IRFB3207PBF N-Kanal-Transistoren THT _1GH_IRFB3207PBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 120A 75V 330W unipolar IRFB3207PBF N-Kanal-Transistoren THT _1GH_IRFB3207PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 75V Drainstrom: 120A Verlustleistung: 330W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 4.5mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 180nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 200W 60V unipolar 200A -3 CSD18542KCS N-Kanal-Transistore _1GH_CSD18542KCS
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 200W 60V unipolar 200A -3 CSD18542KCS N-Kanal-Transistore _1GH_CSD18542KCS
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: NexFET™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 200A Verlustleistung: 200W Gehäuse: TO220-3 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 3.3mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 44nC Verpackungs-Art: Tube Dicke Kühlkörper: 1.14...1.4mm
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8,73€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 64A unipolar 60V 230W TO247AC IR54PBF N-Kanal-Transistore _1GH_IRFP054PBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 64A unipolar 60V 230W TO247AC IR54PBF N-Kanal-Transistore _1GH_IRFP054PBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 64A Verlustleistung: 230W Gehäuse: TO247AC Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 14mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 160nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 6,3A 400V 125W unipolar IRF740LCPBF N-Kanal-Transistoren _1GH_IRF740LCPBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 6,3A 400V 125W unipolar IRF740LCPBF N-Kanal-Transistoren _1GH_IRF740LCPBF
Hersteller: VISHAY Montage: THT Verlustleistung: 125W Gate-Ladung: 39nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 6.3A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 400V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: Widerst im Leitungszust: 5Ω Gate-Source Spannung: 30V
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 55V unipolar 75A 285W HUF75344P3 N-Kanal-Transistoren THT _1GH_HUF75344P3
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 55V unipolar 75A 285W HUF75344P3 N-Kanal-Transistoren THT _1GH_HUF75344P3
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Montage: THT Gehäuse: Verpackungs-Art: Tube Transistor-Typ: N-MOSFET Widerst im Leitungszust: 8mΩ Gate-Source Spannung: 20V Verlustleistung: 285W Polarisierung: unipolar Drainstrom: 75A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 55V
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 98A 150W 55V unipolar TO247AC IR64NPBF N-Kanal-Transistor _1GH_IRFP064NPBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 98A 150W 55V unipolar TO247AC IR64NPBF N-Kanal-Transistor _1GH_IRFP064NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 98A Verlustleistung: 150W Gehäuse: TO247AC Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 8mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 113.3nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 23A 60V HUF76423P3 N-Kanal-Transistoren THT 85W _1GH_HUF76423P3
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 23A 60V HUF76423P3 N-Kanal-Transistoren THT 85W _1GH_HUF76423P3
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Montage: THT Gate-Ladung: 34nC Polarisierung: unipolar Technologie: UltrT® Drainstrom: 23A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: Widerst im Leitungszust: 35mΩ Gate-Source Spannung: 16V Verlustleistung: 85W
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 150W 60V 36A unipolar IRLZ44PBF N-Kanal-Transistoren THT _1GH_IRLZ44PBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 150W 60V 36A unipolar IRLZ44PBF N-Kanal-Transistoren THT _1GH_IRLZ44PBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 36A Verlustleistung: 150W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 10V Widerst im Leitungszust: 28mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 66nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 3x Transistor: P-MOSFET unipolar -20V 2,5W -8A DMP2022LSS-13 P-Kanal-Transistore _1GH_DMP2022LSS-13
TNE 3x Transistor: P-MOSFET unipolar -20V 2,5W -8A DMP2022LSS-13 P-Kanal-Transistore _1GH_DMP2022LSS-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -20V Drainstrom: -8A Verlustleistung: 2.5W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 12V Widerst im Leitungszust: 0.013Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
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