mosfet transistor

IRFP460B MOSFET N Channel 500V 20A Transistor FET-TypN-KanalTechnologieMOSFET (Metalloxid)Drain-Source-Spannung (Vdss)500VStrom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C20 A (Tc)Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))10VRds(On) (Max.) bei Id, Vgs250mOhm bei 10A, 10VVgs(th) (max.) bei Id4V bei 250µAGateladung (Qg) (Max.) bei Vgs170nC @ 10VVgs (Max.)±20VEingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds3094pF @ 100VFET-Merkmal-Verlustleistung (max.)278W (Tc)Betriebstemperatur-55°C bis 150°C (TJ)MontagetypDurchkontaktierungGehäusetyp vom LieferantenTO-247AC :Neu Lieferumfang:1 Stück IRFP460B Transistor mit ausgewiesener MwSt. Hersteller/ EU Verantwortliche PersonVishay Electronic GmbH, Dr.-Felix-Zandman-Platz 1, [email protected]

Diese neueste Technologie wurde speziell entwickelt, um auf -Zustand Widerstand zu minimieren, haben eine hohe Lawinen robusten Eigenschaften. Diese Geräte ist besonders gut für hocheffiziente Schaltnetzteile, Leistungsfaktorkorrektur, UPS und einem elektronischem Vorschaltgerät auf Basis Halbbrücke geeignet. Modell Nr. 10N60 Drain-Source-Spannung 600V Drain-Strom 10A

Technische Daten: -Transistor-Typ: N-MOSFET -Polarisierung: unipolar -Drain-Source Spannung: 20V -Drainstrom: 4.9A -Gehäuse: SOT23 -Widerst im Leitungszust: 31mΩ -Montage: SMD -Verpackungs-Art: B -Verpackungs-Art: Rolle -Kanal-Art: stark -Lieferumfang: 4 Stk.

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 24V Drainstrom: 353A Verlustleistung: 300W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 1.5mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 160nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 33A Verlustleistung: 140W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 44mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 47.3nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark

Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 100V Transistor-Typ: N-MOSFET Widerst im Leitungszust: 200mΩ Gate-Source Spannung: 10V Verlustleistung: 60W Polarisierung: unipolar Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level Drainstrom: 12A

Hersteller: ALPHA

Hersteller: ALPHA

Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -200V Drainstrom: -1A Verlustleistung: 20W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 3Ω Montage: THT Gate-Ladung: 11nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 17A Verlustleistung: 45W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 70mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 13.3nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 17A Verlustleistung: 79W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 90mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 24.7nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark

Hersteller: ALPHA

Hersteller: ALPHA

Hersteller: VISHAY Montage: THT Verlustleistung: 125W Gate-Ladung: 39nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 3.9A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 600V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: Widerst im Leitungszust: 1.2Ω Gate-Source Spannung: 30V

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: P-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -30V Drainstrom: -3.6A Verlustleistung: 2W Gehäuse: SO8 Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark

Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: NexFET™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 80V Drainstrom: 100A Verlustleistung: 217W Gehäuse: TO220-3 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 5.5mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 38nC Verpackungs-Art: Tube Dicke Kühlkörper: 1.14...1.4mm

Hersteller: ALPHA

Hersteller: ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) Verlustleistung: 242W Gate-Ladung: 135nC Polarisierung: unipolar Technologie: PowerTrench® Drainstrom: 80A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: Band Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: D2PAK Widerstand im Leitungs 12.6m? Gate-Source Spannung: ±20V Montage: SMD

Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -200V Drainstrom: -2A Verlustleistung: 40W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 1.5Ω Montage: THT Gate-Ladung: 22nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark

Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 5.8A Verlustleistung: 170W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 7Ω Montage: THT Gate-Ladung: 49nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark

Gewicht: 0,01 kg

Transistor-Typ: P-MOSFET Gate-Source Spannung: ±20V Verlustleistung: 375W Gate-Ladung: 280nC Polarisierung: unipolar

Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: NexFET™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 80V Drainstrom: 150A Verlustleistung: 300W Gehäuse: TO220-3 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 2.6mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 76nC Verpackungs-Art: Tube Dicke Kühlkörper: 1.14...1.4mm

MOSFET-Typ: N-Kanal- Aktuelle Bewertung: 49A RDS (): 17.5mΩ Spannung FSK: 55V Farbe: schwarz Menge: 100 Stück Material: Metall ...

Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 36A Verlustleistung: 150W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 28mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 67nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Montage: THT Gehäuse: Widerst im Leitungszust: 12mΩ Verlustleistung: 170W Verpackungs-Art: Tube Technologie: ® Gate-Source Spannung: 20V Gate-Ladung: 86.6nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 81A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 295A Verlustleistung: 375W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 2mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 274nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 75V Drainstrom: 80A Verlustleistung: 140W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 9mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 56nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 7A Verlustleistung: 28W Gehäuse: TO220FP Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 0.65Ω Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: P-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -55V Drainstrom: -31A Verlustleistung: 110W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 60mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 42nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark