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Torribaly 100er IRFZ44N IRFZ44 Transistor MOSFET N-Kanal-Verstaerker 49A 55V
Torribaly 100er IRFZ44N IRFZ44 Transistor MOSFET N-Kanal-Verstaerker 49A 55V
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET -5A -30V unipolar AO4403 P-Kanal-Transistoren SMD 2W _1GH_AO4403
TNE 1x Transistor: P-MOSFET -5A -30V unipolar AO4403 P-Kanal-Transistoren SMD 2W _1GH_AO4403
Hersteller: ALPHA
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 34A 150V 46W unipolar FP IRFI4321PBF N-Kanal-Transistoren _1GH_IRFI4321PBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 34A 150V 46W unipolar FP IRFI4321PBF N-Kanal-Transistoren _1GH_IRFI4321PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 34A Verlustleistung: 46W Gehäuse: TO220FP Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 10A 100V 30W unipolar TO251A AOI4286 N-Kanal-Transistoren _1GH_AOI4286
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 10A 100V 30W unipolar TO251A AOI4286 N-Kanal-Transistoren _1GH_AOI4286
Hersteller: ALPHA
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET -30V unipolar 45W -67A TO251A AOI423 P-Kanal-Transistoren _1GH_AOI423
TNE 1x Transistor: P-MOSFET -30V unipolar 45W -67A TO251A AOI423 P-Kanal-Transistoren _1GH_AOI423
Hersteller: ALPHA
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 14A unipolar 48W 50V DPAK RFD14N05SM9A N-Kanal-Transistor _1GH_RFD14N05SM9A
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 14A unipolar 48W 50V DPAK RFD14N05SM9A N-Kanal-Transistor _1GH_RFD14N05SM9A
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Montage: SMD Verlustleistung: 48W Gate-Ladung: 40nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 14A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 50V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: DPAK Widerst im Leitungszust: Ω Gate-Source Spannung: 20V
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 88W 100V 10A IRF530PBF N-Kanal-Transistoren THT unipolar _1GH_IRF530PBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 88W 100V 10A IRF530PBF N-Kanal-Transistoren THT unipolar _1GH_IRF530PBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 10A Verlustleistung: 88W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 160mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 26nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 100V unipolar 22A 45W FP IRFI131ONPBF N-Kanal-Transistore _1GH_IRFI1310NPBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 100V unipolar 22A 45W FP IRFI131ONPBF N-Kanal-Transistore _1GH_IRFI1310NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 22A Verlustleistung: 45W Gehäuse: TO220FP Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 36mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 80nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET 12A unipolar 30V 30W DPAK STD17NF03LT4 N-Kanal-Transistor _1GH_STD17NF03LT4
TNE 3x Transistor: N-MOSFET 12A unipolar 30V 30W DPAK STD17NF03LT4 N-Kanal-Transistor _1GH_STD17NF03LT4
Hersteller: STMicroelectronics Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: SuperMesh™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 12A Verlustleistung: 30W Gehäuse: DPAK Gate-Source Spannung: 16V Widerst im Leitungszust: 60mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET -55V -12A 45W IRF9Z24NPBF P-Kanal-Transistoren THT unipolar _1GH_IRF9Z24NPBF
TNE 1x Transistor: P-MOSFET -55V -12A 45W IRF9Z24NPBF P-Kanal-Transistoren THT unipolar _1GH_IRF9Z24NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: P-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -55V Drainstrom: -12A Verlustleistung: 45W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 0.175Ω Montage: THT Gate-Ladung: 12.7nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 120A 75V 330W unipolar IRFB3207PBF N-Kanal-Transistoren THT _1GH_IRFB3207PBF
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 75V Drainstrom: 120A Verlustleistung: 330W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 4.5mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 180nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 200W 60V unipolar 200A -3 CSD18542KCS N-Kanal-Transistore _1GH_CSD18542KCS
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: NexFET™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 200A Verlustleistung: 200W Gehäuse: TO220-3 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 3.3mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 44nC Verpackungs-Art: Tube Dicke Kühlkörper: 1.14...1.4mm
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 64A unipolar 60V 230W TO247AC IR54PBF N-Kanal-Transistore _1GH_IRFP054PBF
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Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 64A Verlustleistung: 230W Gehäuse: TO247AC Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 14mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 160nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 55V unipolar 75A 285W HUF75344P3 N-Kanal-Transistoren THT _1GH_HUF75344P3
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 98A 150W 55V unipolar TO247AC IR64NPBF N-Kanal-Transistor _1GH_IRFP064NPBF
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 98A Verlustleistung: 150W Gehäuse: TO247AC Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 8mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 113.3nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 23A 60V HUF76423P3 N-Kanal-Transistoren THT 85W _1GH_HUF76423P3
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 23A 60V HUF76423P3 N-Kanal-Transistoren THT 85W _1GH_HUF76423P3
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Montage: THT Gate-Ladung: 34nC Polarisierung: unipolar Technologie: UltrT® Drainstrom: 23A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: Widerst im Leitungszust: 35mΩ Gate-Source Spannung: 16V Verlustleistung: 85W
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 150W 60V 36A unipolar IRLZ44PBF N-Kanal-Transistoren THT _1GH_IRLZ44PBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 150W 60V 36A unipolar IRLZ44PBF N-Kanal-Transistoren THT _1GH_IRLZ44PBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 36A Verlustleistung: 150W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 10V Widerst im Leitungszust: 28mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 66nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 3x Transistor: P-MOSFET unipolar -20V 2,5W -8A DMP2022LSS-13 P-Kanal-Transistore _1GH_DMP2022LSS-13
TNE 3x Transistor: P-MOSFET unipolar -20V 2,5W -8A DMP2022LSS-13 P-Kanal-Transistore _1GH_DMP2022LSS-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -20V Drainstrom: -8A Verlustleistung: 2.5W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 12V Widerst im Leitungszust: 0.013Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 417W 23A unipolar 600V TO263 AOB42S60L N-Kanal-Transistor _1GH_AOB42S60L
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 417W 23A unipolar 600V TO263 AOB42S60L N-Kanal-Transistor _1GH_AOB42S60L
Hersteller: ALPHA
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 20W 30V unipolar 83A DFN5x6 AON6312 N-Kanal-Transistoren _1GH_AON6312
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 12A F AOTF20N60 N-Kanal-Transistoren THT 600V unipolar _1GH_AOTF20N60
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 12A F AOTF20N60 N-Kanal-Transistoren THT 600V unipolar _1GH_AOTF20N60
Hersteller: ALPHA
3 Wochen
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 150W 10A 250V TO252 AOD458 N-Kanal-Transistoren _1GH_AOD458
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 150W 10A 250V TO252 AOD458 N-Kanal-Transistoren _1GH_AOD458
Hersteller: ALPHA
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar TO262 AOW11N60 N-Kanal-Transistoren THT 600V 8A _1GH_AOW11N60
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar TO262 AOW11N60 N-Kanal-Transistoren THT 600V 8A _1GH_AOW11N60
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET -30V unipolar 2W -3,6A IRF7306TRPBF P-Kanal-Transistoren _1GH_IRF7306TRPBF
TNE 1x Transistor: P-MOSFET -30V unipolar 2W -3,6A IRF7306TRPBF P-Kanal-Transistoren _1GH_IRF7306TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: P-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -30V Drainstrom: -3.6A Verlustleistung: 2W Gehäuse: SO8 Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
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TNE Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 242W; D2PAK FDB5800 N-Kanal-Transistoren SMD 7000
TNE Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 242W; D2PAK FDB5800 N-Kanal-Transistoren SMD 7000
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) Verlustleistung: 242W Gate-Ladung: 135nC Polarisierung: unipolar Technologie: PowerTrench® Drainstrom: 80A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: Band Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: D2PAK Widerstand im Leitungs 12.6m? Gate-Source Spannung: ±20V Montage: SMD
3-4 Werktage
8,79€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 600V unipolar 125W 3,9A IRFBC40LCPBF N-Kanal-Transistore _1GH_IRFBC40LCPBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 600V unipolar 125W 3,9A IRFBC40LCPBF N-Kanal-Transistore _1GH_IRFBC40LCPBF
Hersteller: VISHAY Montage: THT Verlustleistung: 125W Gate-Ladung: 39nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 3.9A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 600V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: Widerst im Leitungszust: 1.2Ω Gate-Source Spannung: 30V
3 Wochen
7,74€
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET 20W unipolar -1A IRF9610PBF P-Kanal-Transistoren THT -200V _1GH_IRF9610PBF
TNE 1x Transistor: P-MOSFET 20W unipolar -1A IRF9610PBF P-Kanal-Transistoren THT -200V _1GH_IRF9610PBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -200V Drainstrom: -1A Verlustleistung: 20W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 3Ω Montage: THT Gate-Ladung: 11nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET unipolar -200V 40W -2A IRF9620PBF P-Kanal-Transistoren THT _1GH_IRF9620PBF
TNE 1x Transistor: P-MOSFET unipolar -200V 40W -2A IRF9620PBF P-Kanal-Transistoren THT _1GH_IRF9620PBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -200V Drainstrom: -2A Verlustleistung: 40W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 1.5Ω Montage: THT Gate-Ladung: 22nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 5,8A 600V unipolar 170W IRFB9N60APBF N-Kanal-Transistore _1GH_IRFB9N60APBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 5,8A 600V unipolar 170W IRFB9N60APBF N-Kanal-Transistore _1GH_IRFB9N60APBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 5.8A Verlustleistung: 170W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 7Ω Montage: THT Gate-Ladung: 49nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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