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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 100A 80V unipolar 217W -3 CSD19501KCS N-Kanal-Transistore _1GH_CSD19501KCS
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: NexFET™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 80V Drainstrom: 100A Verlustleistung: 217W Gehäuse: TO220-3 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 5.5mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 38nC Verpackungs-Art: Tube Dicke Kühlkörper: 1.14...1.4mm
3 Wochen
9,00€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 12A RFP12N10L N-Kanal-Transistoren THT 60W 100V _1GH_RFP12N10L
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 100V Transistor-Typ: N-MOSFET Widerst im Leitungszust: 200mΩ Gate-Source Spannung: 10V Verlustleistung: 60W Polarisierung: unipolar Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level Drainstrom: 12A
3 Wochen
7,07€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 140W 33A unipolar 100V IRF540NPBF N-Kanal-Transistoren THT _1GH_IRF540NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 33A Verlustleistung: 140W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 44mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 47.3nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,97€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 17A unipolar IRFZ24NPBF N-Kanal-Transistoren THT 55V 45W _1GH_IRFZ24NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 17A Verlustleistung: 45W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 70mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 13.3nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
5,90€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 79W unipolar 17A 100V IRF530NPBF N-Kanal-Transistoren THT _1GH_IRF530NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 17A Verlustleistung: 79W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 90mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 24.7nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,27€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 24V 353A IRF1324PBF N-Kanal-Transistoren THT 300W unipolar _1GH_IRF1324PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 24V Drainstrom: 353A Verlustleistung: 300W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 1.5mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 160nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
8,82€
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TNE Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4,9A; SOT23 LGE2312 N-Kanal-Transistoren SMD 8364
Technische Daten: -Transistor-Typ: N-MOSFET -Polarisierung: unipolar -Drain-Source Spannung: 20V -Drainstrom: 4.9A -Gehäuse: SOT23 -Widerst im Leitungszust: 31mΩ -Montage: SMD -Verpackungs-Art: B -Verpackungs-Art: Rolle -Kanal-Art: stark -Lieferumfang: 4 Stk.
3-4 Werktage
4,19€
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kepptory 100er IRFZ44N IRFZ44 Transistor MOSFET N-Kanal-Verstaerker 49A 55V
MOSFET-Typ: N-Kanal- Aktuelle Bewertung: 49A RDS (): 17.5mΩ Spannung FSK: 55V Farbe: schwarz Menge: 100 Stück Material: Metall ...
6-10 Tage
34,84€
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Zandonà 100er IRFZ44N IRFZ44 Transistor MOSFET N-Kanal-Verstaerker 49A 55V
MOSFET-Typ: N-Kanal- Aktuelle Bewertung: 49A RDS (): 17.5mΩ Spannung FSK: 55V Farbe: schwarz Menge: 100 Stück Material: Metall ...
6-10 Tage
35,47€
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TAUOH 50Er IRFZ44N IRFZ44 Transistor MOSFET N-Kanal-Verstaerker 49A 55V
MOSFET-Typ: N-Kanal- Aktuelle Bewertung: 49A RDS (): 17.5mΩ Spannung FSK: 55V Diese sind nagelneu. Lieferumfang: 50 x IRFZ44N Transistor
6-8 Tage
25,43€
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Typecat 100er IRFZ44N IRFZ44 Transistor MOSFET N-Kanal-Verstaerker 49A 55V
MOSFET-Typ: N-Kanal- Aktuelle Bewertung: 49A RDS (): 17.5mΩ Spannung FSK: 55V Farbe: schwarz Menge: 100 Stück Material: Metall ...
6-8 Tage
33,21€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 25W 40A unipolar 40V TO263 AOB4184 N-Kanal-Transistoren SMD _1GH_AOB4184
Hersteller: ALPHA
3 Wochen
6,62€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 250W 500V 8,5A unipolar AOT13N50 N-Kanal-Transistoren THT _1GH_AOT13N50
Hersteller: ALPHA
3 Wochen
7,75€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 2,7A 25W 200V unipolar TO252 AOD450 N-Kanal-Transistoren _1GH_AOD450
Hersteller: ALPHA
3 Wochen
6,56€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 40V 47,5W unipolar 100A TO263 AOB2146L N-Kanal-Transistor _1GH_AOB2146L
Hersteller: ALPHA
3 Wochen
6,69€
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET -40V F AOTF4185 P-Kanal-Transistoren THT unipolar 16W -27A _1GH_AOTF4185
Hersteller: ALPHA
3 Wochen
6,96€
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET 500V 57W unipolar 1,8A TO252 AOD3N50 N-Kanal-Transistoren _1GH_AOD3N50
Hersteller: ALPHA
3 Wochen
6,32€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 300V 150W 8,3A TO252 AOD468 N-Kanal-Transistoren _1GH_AOD468
Hersteller: ALPHA
3 Wochen
6,98€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 500V 25W 2,7A FP STP5NK50ZFP N-Kanal-Transistore _1GH_STP5NK50ZFP
Hersteller: STMicroelectronics Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: SuperMesh™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 2.7A Verlustleistung: 25W Gehäuse: TO220FP Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 1500mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate
3 Wochen
9,05€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 1,51A 20W 600V FP STP3NK60ZFP N-Kanal-Transistor _1GH_STP3NK60ZFP
Hersteller: STMicroelectronics Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: SuperMesh™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 1.51A Verlustleistung: 20W Gehäuse: TO220FP Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 3600mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate
3 Wochen
8,51€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 500V unipolar 42W 6,9A FP FDPF12N50T N-Kanal-Transistoren _1GH_FDPF12N50T
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Montage: THT Gehäuse: FP Verpackungs-Art: Tube Verlustleistung: 42W Gate-Ladung: 30nC Polarisierung: unipolar Technologie: UniFET™ Drainstrom: 6.9A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 500V Transistor-Typ: N-MOSFET Widerst im Leitungszust: 6Ω Gate-Source Spannung: 30V
3 Wochen
8,61€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 600V unipolar 115W 5,7A -3 STP10NK60Z N-Kanal-Transistore _1GH_STP10NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics Verlustleistung: 115W Polarisierung: unipolar Technologie: SuperMesh™ Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate Drainstrom: 5.7A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 600V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: -3 Widerst im Leitungszust: 7Ω Gate-Source Spannung: 30V Montage: THT
3 Wochen
11,04€
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TNE Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0,32A; 260mW; SOT323 BSS138PW.115 N-Kanal-Transistoren SMD 8352
Technische Daten: -Transistor-Typ: N-MOSFET -Polarisierung: unipolar -Drain-Source Spannung: 60V -Drainstrom: 0.32A -Verlustleistung: 260mW -Gehäuse: SOT323 -Gate-Source Spannung: ±20V -Widerst im Leitungszust: 900mΩ -Montage: SMD -Gate-Ladung: 0.8nC -Verpackungs-Art: B -Verpackungs-Art: Rolle -Kanal-Art: stark -Lieferumfang: 5 Stk.
3-4 Werktage
5,79€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET ™ M3 unipolar 800V 5A 23W F WML06N80M3 N-Kanal-Transistor _1GH_WML06N80M3-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ M3 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 5A Verlustleistung: 23W Gehäuse: TO220F Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 2Ω Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,47€
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IRFP460B Transistor MOSFET 500V 20A N-CH 278W TO-247 #711465
IRFP460B MOSFET N Channel 500V 20A Transistor FET-TypN-KanalTechnologieMOSFET (Metalloxid)Drain-Source-Spannung (Vdss)500VStrom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C20 A (Tc)Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))10VRds(On) (Max.) bei Id, Vgs250mOhm bei 10A, 10VVgs(th) (max.) bei Id4V bei 250µAGateladung (Qg) (Max.) bei Vgs170nC @ 10VVgs (Max.)±20VEingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds3094pF @ 100VFET-Merkmal-Verlustleistung (max.)278W (Tc)Betriebstemperatur-55°C bis 150°C (TJ)MontagetypDurchkontaktierungGehäusetyp vom LieferantenTO-247AC :Neu Lieferumfang:1 Stück IRFP460B Transistor mit ausgewiesener MwSt. Hersteller/ EU Verantwortliche PersonVishay Electronic GmbH, Dr.-Felix-Zandman-Platz 1, [email protected]
1-2 Werktage
2,75€
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AZA-Electronic
Bobotron 100er IRFZ44N IRFZ44 Transistor MOSFET N-Kanal-Verstaerker 49A 55V
MOSFET-Typ: N-Kanal- Aktuelle Bewertung: 49A RDS (): 17.5mΩ Spannung FSK: 55V Farbe: schwarz Menge: 100 Stück Material: Metall ...
6-10 Tage
33,53€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 5,7A 178W unipolar 500V TO252 AOD9N50 N-Kanal-Transistore _1GH_AOD9N50
Hersteller: ALPHA
3 Wochen
6,02€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar F AOTF12N60 N-Kanal-Transistoren THT 600V 9,7A _1GH_AOTF12N60
Hersteller: ALPHA
3 Wochen
8,21€
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET 38W K IRLU024NPBF N-Kanal-Transistoren THT 17A 55V unipolar _1GH_IRLU024NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 17A Verlustleistung: 38W Gehäuse: IPAK Montage: THT Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
3 Wochen
6,44€
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