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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 100A 80V unipolar 217W -3 CSD19501KCS N-Kanal-Transistore _1GH_CSD19501KCS
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 100A 80V unipolar 217W -3 CSD19501KCS N-Kanal-Transistore _1GH_CSD19501KCS
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: NexFET™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 80V Drainstrom: 100A Verlustleistung: 217W Gehäuse: TO220-3 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 5.5mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 38nC Verpackungs-Art: Tube Dicke Kühlkörper: 1.14...1.4mm
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 12A RFP12N10L N-Kanal-Transistoren THT 60W 100V _1GH_RFP12N10L
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 12A RFP12N10L N-Kanal-Transistoren THT 60W 100V _1GH_RFP12N10L
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 100V Transistor-Typ: N-MOSFET Widerst im Leitungszust: 200mΩ Gate-Source Spannung: 10V Verlustleistung: 60W Polarisierung: unipolar Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level Drainstrom: 12A
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 140W 33A unipolar 100V IRF540NPBF N-Kanal-Transistoren THT _1GH_IRF540NPBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 140W 33A unipolar 100V IRF540NPBF N-Kanal-Transistoren THT _1GH_IRF540NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 33A Verlustleistung: 140W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 44mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 47.3nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 17A unipolar IRFZ24NPBF N-Kanal-Transistoren THT 55V 45W _1GH_IRFZ24NPBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 17A unipolar IRFZ24NPBF N-Kanal-Transistoren THT 55V 45W _1GH_IRFZ24NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 17A Verlustleistung: 45W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 70mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 13.3nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 79W unipolar 17A 100V IRF530NPBF N-Kanal-Transistoren THT _1GH_IRF530NPBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 79W unipolar 17A 100V IRF530NPBF N-Kanal-Transistoren THT _1GH_IRF530NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 17A Verlustleistung: 79W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 90mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 24.7nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 24V 353A IRF1324PBF N-Kanal-Transistoren THT 300W unipolar _1GH_IRF1324PBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 24V 353A IRF1324PBF N-Kanal-Transistoren THT 300W unipolar _1GH_IRF1324PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 24V Drainstrom: 353A Verlustleistung: 300W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 1.5mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 160nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4,9A; SOT23 LGE2312 N-Kanal-Transistoren SMD 8364
TNE Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4,9A; SOT23 LGE2312 N-Kanal-Transistoren SMD 8364
Technische Daten: -Transistor-Typ: N-MOSFET -Polarisierung: unipolar -Drain-Source Spannung: 20V -Drainstrom: 4.9A -Gehäuse: SOT23 -Widerst im Leitungszust: 31mΩ -Montage: SMD -Verpackungs-Art: B -Verpackungs-Art: Rolle -Kanal-Art: stark -Lieferumfang: 4 Stk.
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kepptory 100er IRFZ44N IRFZ44 Transistor MOSFET N-Kanal-Verstaerker 49A 55V
kepptory 100er IRFZ44N IRFZ44 Transistor MOSFET N-Kanal-Verstaerker 49A 55V
MOSFET-Typ: N-Kanal- Aktuelle Bewertung: 49A RDS (): 17.5mΩ Spannung FSK: 55V Farbe: schwarz Menge: 100 Stück Material: Metall ...
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Zandonà 100er IRFZ44N IRFZ44 Transistor MOSFET N-Kanal-Verstaerker 49A 55V
Zandonà 100er IRFZ44N IRFZ44 Transistor MOSFET N-Kanal-Verstaerker 49A 55V
MOSFET-Typ: N-Kanal- Aktuelle Bewertung: 49A RDS (): 17.5mΩ Spannung FSK: 55V Farbe: schwarz Menge: 100 Stück Material: Metall ...
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TAUOH 50Er IRFZ44N IRFZ44 Transistor MOSFET N-Kanal-Verstaerker 49A 55V
TAUOH 50Er IRFZ44N IRFZ44 Transistor MOSFET N-Kanal-Verstaerker 49A 55V
MOSFET-Typ: N-Kanal- Aktuelle Bewertung: 49A RDS (): 17.5mΩ Spannung FSK: 55V Diese sind nagelneu. Lieferumfang: 50 x IRFZ44N Transistor
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Typecat 100er IRFZ44N IRFZ44 Transistor MOSFET N-Kanal-Verstaerker 49A 55V
Typecat 100er IRFZ44N IRFZ44 Transistor MOSFET N-Kanal-Verstaerker 49A 55V
MOSFET-Typ: N-Kanal- Aktuelle Bewertung: 49A RDS (): 17.5mΩ Spannung FSK: 55V Farbe: schwarz Menge: 100 Stück Material: Metall ...
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Torribaly 100er IRFZ44N IRFZ44 Transistor MOSFET N-Kanal-Verstaerker 49A 55V
Torribaly 100er IRFZ44N IRFZ44 Transistor MOSFET N-Kanal-Verstaerker 49A 55V
MOSFET-Typ: N-Kanal- Aktuelle Bewertung: 49A RDS (): 17.5mΩ Spannung FSK: 55V Farbe: schwarz Menge: 100 Stück Material: Metall ...
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET 30V 9,5W unipolar 24A DFN5x6 AON6558 N-Kanal-Transistoren _1GH_AON6558
TNE 3x Transistor: N-MOSFET 30V 9,5W unipolar 24A DFN5x6 AON6558 N-Kanal-Transistoren _1GH_AON6558
Hersteller: ALPHA
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET unipolar 25A 10,4W 30V DFN5x6 AON6576 N-Kanal-Transistore _1GH_AON6576
TNE 3x Transistor: N-MOSFET unipolar 25A 10,4W 30V DFN5x6 AON6576 N-Kanal-Transistore _1GH_AON6576
Hersteller: ALPHA
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET unipolar -60V AO4441 P-Kanal-Transistoren SMD -3,1A 2W _1GH_AO4441
TNE 1x Transistor: P-MOSFET unipolar -60V AO4441 P-Kanal-Transistoren SMD -3,1A 2W _1GH_AO4441
Hersteller: ALPHA
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 6,4A unipolar 600V F AOTF10N60 N-Kanal-Transistoren THT _1GH_AOTF10N60
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 6,4A unipolar 600V F AOTF10N60 N-Kanal-Transistoren THT _1GH_AOTF10N60
Hersteller: ALPHA
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 21W unipolar F AOTF4126 N-Kanal-Transistoren THT 100V 19A _1GH_AOTF4126
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 21W unipolar F AOTF4126 N-Kanal-Transistoren THT 100V 19A _1GH_AOTF4126
Hersteller: ALPHA
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TNE 3x Transistor: P-MOSFET -30V 2W -5,3A unipolar AO4459 P-Kanal-Transistoren SMD _1GH_AO4459
TNE 3x Transistor: P-MOSFET -30V 2W -5,3A unipolar AO4459 P-Kanal-Transistoren SMD _1GH_AO4459
Hersteller: ALPHA
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 600V 4,4A 30W FP STP9NK60ZFP N-Kanal-Transistore _1GH_STP9NK60ZFP
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 600V 4,4A 30W FP STP9NK60ZFP N-Kanal-Transistore _1GH_STP9NK60ZFP
Hersteller: STMicroelectronics Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: SuperMesh™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 4.4A Verlustleistung: 30W Gehäuse: FP Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 9Ω Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate
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7,24€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 5,7A 35W 600V FP STP10NK60ZFP N-Kanal-Transistor _1GH_STP10NK60ZFP
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 5,7A 35W 600V FP STP10NK60ZFP N-Kanal-Transistor _1GH_STP10NK60ZFP
Hersteller: STMicroelectronics Verlustleistung: 35W Polarisierung: unipolar Technologie: SuperMesh™ Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate Drainstrom: 5.7A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 600V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: FP Widerst im Leitungszust: 7Ω Gate-Source Spannung: 30V Montage: THT
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10,54€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 125W 6,3A 400V IRF740APBF N-Kanal-Transistoren THT _1GH_IRF740APBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 125W 6,3A 400V IRF740APBF N-Kanal-Transistoren THT _1GH_IRF740APBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 400V Drainstrom: 6.3A Verlustleistung: 125W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 5Ω Montage: THT Gate-Ladung: 36nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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9,73€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 7,6A unipolar 500V 150W -3 STP14NK50Z N-Kanal-Transistore _1GH_STP14NK50Z
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 7,6A unipolar 500V 150W -3 STP14NK50Z N-Kanal-Transistore _1GH_STP14NK50Z
Hersteller: STMicroelectronics Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: SuperMesh™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 7.6A Verlustleistung: 150W Gehäuse: TO220-3 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 380mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 500V 1,6A IRF820APBF N-Kanal-Transistoren THT 50W _1GH_IRF820APBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 500V 1,6A IRF820APBF N-Kanal-Transistoren THT 50W _1GH_IRF820APBF
Hersteller: VISHAY Montage: THT Verlustleistung: 50W Gate-Ladung: 17nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 1.6A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 500V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: Widerst im Leitungszust: 3Ω Gate-Source Spannung: 30V
3 Wochen
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 60V 4,9A 25W DPAK IRFR014PBF N-Kanal-Transistore _1GH_IRFR014PBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 60V 4,9A 25W DPAK IRFR014PBF N-Kanal-Transistore _1GH_IRFR014PBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 4.9A Verlustleistung: 25W Gehäuse: DPAK Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 200mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 11nC Kanal-Art: stark
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Bobotron 100er IRFZ44N IRFZ44 Transistor MOSFET N-Kanal-Verstaerker 49A 55V
Bobotron 100er IRFZ44N IRFZ44 Transistor MOSFET N-Kanal-Verstaerker 49A 55V
MOSFET-Typ: N-Kanal- Aktuelle Bewertung: 49A RDS (): 17.5mΩ Spannung FSK: 55V Farbe: schwarz Menge: 100 Stück Material: Metall ...
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Ersatzteil Transistor MOSFET N-Ch 600V 9A 50W TO-220F
Ersatzteil Transistor MOSFET N-Ch 600V 9A 50W TO-220F
Gewicht: 0,01 kg
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 5,7A 178W unipolar 500V TO252 AOD9N50 N-Kanal-Transistore _1GH_AOD9N50
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 5,7A 178W unipolar 500V TO252 AOD9N50 N-Kanal-Transistore _1GH_AOD9N50
Hersteller: ALPHA
3 Wochen
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar F AOTF12N60 N-Kanal-Transistoren THT 600V 9,7A _1GH_AOTF12N60
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar F AOTF12N60 N-Kanal-Transistoren THT 600V 9,7A _1GH_AOTF12N60
Hersteller: ALPHA
3 Wochen
8,21€
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET 38W K IRLU024NPBF N-Kanal-Transistoren THT 17A 55V unipolar _1GH_IRLU024NPBF
TNE 3x Transistor: N-MOSFET 38W K IRLU024NPBF N-Kanal-Transistoren THT 17A 55V unipolar _1GH_IRLU024NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 17A Verlustleistung: 38W Gehäuse: IPAK Montage: THT Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 150W unipolar 1kV 4A -3 IXFP4N100P N-Kanal-Transistoren THT _1GH_IXFP4N100P
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 150W unipolar 1kV 4A -3 IXFP4N100P N-Kanal-Transistoren THT _1GH_IXFP4N100P
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 4A Verlustleistung: 150W Gehäuse: TO220-3 Montage: THT Gate-Ladung: 26nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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