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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 79W unipolar 17A 100V IRF530NPBF N-Kanal-Transistoren THT _1GH_IRF530NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 17A Verlustleistung: 79W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 90mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 24.7nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,27€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 417W 23A unipolar 600V TO263 AOB42S60L N-Kanal-Transistor _1GH_AOB42S60L
Hersteller: ALPHA
3 Wochen
10,61€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar TO262 AOW11N60 N-Kanal-Transistoren THT 600V 8A _1GH_AOW11N60
Hersteller: ALPHA
3 Wochen
5,88€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 600V unipolar 125W 3,9A IRFBC40LCPBF N-Kanal-Transistore _1GH_IRFBC40LCPBF
Hersteller: VISHAY Montage: THT Verlustleistung: 125W Gate-Ladung: 39nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 3.9A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 600V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: Widerst im Leitungszust: 1.2Ω Gate-Source Spannung: 30V
3 Wochen
7,74€
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET -30V unipolar 2W -3,6A IRF7306TRPBF P-Kanal-Transistoren _1GH_IRF7306TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: P-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -30V Drainstrom: -3.6A Verlustleistung: 2W Gehäuse: SO8 Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
7,26€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 100A 80V unipolar 217W -3 CSD19501KCS N-Kanal-Transistore _1GH_CSD19501KCS
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: NexFET™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 80V Drainstrom: 100A Verlustleistung: 217W Gehäuse: TO220-3 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 5.5mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 38nC Verpackungs-Art: Tube Dicke Kühlkörper: 1.14...1.4mm
3 Wochen
9,00€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 12A F AOTF20N60 N-Kanal-Transistoren THT 600V unipolar _1GH_AOTF20N60
Hersteller: ALPHA
3 Wochen
9,08€
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TNE Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 242W; D2PAK FDB5800 N-Kanal-Transistoren SMD 7000
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) Verlustleistung: 242W Gate-Ladung: 135nC Polarisierung: unipolar Technologie: PowerTrench® Drainstrom: 80A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: Band Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: D2PAK Widerstand im Leitungs 12.6m? Gate-Source Spannung: ±20V Montage: SMD
3-4 Werktage
8,79€
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET unipolar -200V 40W -2A IRF9620PBF P-Kanal-Transistoren THT _1GH_IRF9620PBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -200V Drainstrom: -2A Verlustleistung: 40W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 1.5Ω Montage: THT Gate-Ladung: 22nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,88€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 5,8A 600V unipolar 170W IRFB9N60APBF N-Kanal-Transistore _1GH_IRFB9N60APBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 5.8A Verlustleistung: 170W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 7Ω Montage: THT Gate-Ladung: 49nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
8,75€
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4,16€
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TO-220 Aluminium-Kühlkörper und Isolator-Montageset mit Schrauben, Unterlegscheiben, Buchsen, Silikon-Pads für MOSFET-Transistoren, für elektrische Geräte, Wärmemanagement, 30 Stück
[Effiziente Kühlleistung] Hergestellt aus Aluminiumlegierung für optimale Wärmeleitfähigkeit; diese Kühlkörper helfen dabei, niedrigere Temperaturen für CPUs und LAN-Geräte in oder übertakteten Umgebungen zu erhalten. [Sicherer elektrischer Betrieb] Die Pads bieten hervorragende elektrische Isolierung und ermöglichen gleichzeitig eine effiziente Wärmeübertragung; sie verhindern Schaltungskurzschlüsse, indem Transistoren effektiv vom Gehäuse isoliert werden. [Größe für leistungsstarke Nutzung] Perfekte Größe für Power-MOSFETs oder integrierte Typen wie 7805; diese kleinen, aber leistungsstarken Kühlkörper verwalten mehrere der Leistung, ohne übermäßigen Platz zu beanspruchen. Vielseitig einsetzbar: Kompatibel mit 220 MOSFET-Transistoren und verschiedenen Reglern wie LM78XX oder LM317; dieses Set erfüllt verschiedene elektronische Kühlbedürfnisse.
20,39€
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET 500V 57W unipolar 1,8A TO252 AOD3N50 N-Kanal-Transistoren _1GH_AOD3N50
Hersteller: ALPHA
3 Wochen
6,32€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 300V 150W 8,3A TO252 AOD468 N-Kanal-Transistoren _1GH_AOD468
Hersteller: ALPHA
3 Wochen
6,98€
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET -40V F AOTF4185 P-Kanal-Transistoren THT unipolar 16W -27A _1GH_AOTF4185
Hersteller: ALPHA
3 Wochen
6,96€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 2,7A 25W 200V unipolar TO252 AOD450 N-Kanal-Transistoren _1GH_AOD450
Hersteller: ALPHA
3 Wochen
6,56€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 500V unipolar 42W 6,9A FP FDPF12N50T N-Kanal-Transistoren _1GH_FDPF12N50T
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Montage: THT Gehäuse: FP Verpackungs-Art: Tube Verlustleistung: 42W Gate-Ladung: 30nC Polarisierung: unipolar Technologie: UniFET™ Drainstrom: 6.9A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 500V Transistor-Typ: N-MOSFET Widerst im Leitungszust: 6Ω Gate-Source Spannung: 30V
3 Wochen
8,61€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET ™ M3 unipolar 800V 5A 23W F WML06N80M3 N-Kanal-Transistor _1GH_WML06N80M3-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ M3 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 5A Verlustleistung: 23W Gehäuse: TO220F Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 2Ω Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,47€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 250W 500V 8,5A unipolar AOT13N50 N-Kanal-Transistoren THT _1GH_AOT13N50
Hersteller: ALPHA
3 Wochen
7,75€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 600V unipolar 115W 5,7A -3 STP10NK60Z N-Kanal-Transistore _1GH_STP10NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics Verlustleistung: 115W Polarisierung: unipolar Technologie: SuperMesh™ Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate Drainstrom: 5.7A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 600V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: -3 Widerst im Leitungszust: 7Ω Gate-Source Spannung: 30V Montage: THT
3 Wochen
11,04€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 500V 25W 2,7A FP STP5NK50ZFP N-Kanal-Transistore _1GH_STP5NK50ZFP
Hersteller: STMicroelectronics Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: SuperMesh™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 2.7A Verlustleistung: 25W Gehäuse: TO220FP Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 1500mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate
3 Wochen
9,05€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 40V 47,5W unipolar 100A TO263 AOB2146L N-Kanal-Transistor _1GH_AOB2146L
Hersteller: ALPHA
3 Wochen
6,69€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 1,51A 20W 600V FP STP3NK60ZFP N-Kanal-Transistor _1GH_STP3NK60ZFP
Hersteller: STMicroelectronics Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: SuperMesh™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 1.51A Verlustleistung: 20W Gehäuse: TO220FP Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 3600mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate
3 Wochen
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TNE Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0,32A; 260mW; SOT323 BSS138PW.115 N-Kanal-Transistoren SMD 8352
Technische Daten: -Transistor-Typ: N-MOSFET -Polarisierung: unipolar -Drain-Source Spannung: 60V -Drainstrom: 0.32A -Verlustleistung: 260mW -Gehäuse: SOT323 -Gate-Source Spannung: ±20V -Widerst im Leitungszust: 900mΩ -Montage: SMD -Gate-Ladung: 0.8nC -Verpackungs-Art: B -Verpackungs-Art: Rolle -Kanal-Art: stark -Lieferumfang: 5 Stk.
3-4 Werktage
5,79€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 25W 40A unipolar 40V TO263 AOB4184 N-Kanal-Transistoren SMD _1GH_AOB4184
Hersteller: ALPHA
3 Wochen
6,62€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 600V 4,4A 30W FP STP9NK60ZFP N-Kanal-Transistore _1GH_STP9NK60ZFP
Hersteller: STMicroelectronics Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: SuperMesh™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 4.4A Verlustleistung: 30W Gehäuse: FP Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 9Ω Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate
3 Wochen
7,24€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 7,6A unipolar 500V 150W -3 STP14NK50Z N-Kanal-Transistore _1GH_STP14NK50Z
Hersteller: STMicroelectronics Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: SuperMesh™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 7.6A Verlustleistung: 150W Gehäuse: TO220-3 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 380mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate
3 Wochen
11,18€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 6,4A unipolar 600V F AOTF10N60 N-Kanal-Transistoren THT _1GH_AOTF10N60
Hersteller: ALPHA
3 Wochen
7,51€
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET 30V 9,5W unipolar 24A DFN5x6 AON6558 N-Kanal-Transistoren _1GH_AON6558
Hersteller: ALPHA
3 Wochen
6,88€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 125W 6,3A 400V IRF740APBF N-Kanal-Transistoren THT _1GH_IRF740APBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 400V Drainstrom: 6.3A Verlustleistung: 125W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 5Ω Montage: THT Gate-Ladung: 36nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
9,73€
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