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Zandonà 100er IRFZ44N IRFZ44 Transistor MOSFET N-Kanal-Verstaerker 49A 55V
Zandonà 100er IRFZ44N IRFZ44 Transistor MOSFET N-Kanal-Verstaerker 49A 55V
MOSFET-Typ: N-Kanal- Aktuelle Bewertung: 49A RDS (): 17.5mΩ Spannung FSK: 55V Farbe: schwarz Menge: 100 Stück Material: Metall ...
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TAUOH 50Er IRFZ44N IRFZ44 Transistor MOSFET N-Kanal-Verstaerker 49A 55V
TAUOH 50Er IRFZ44N IRFZ44 Transistor MOSFET N-Kanal-Verstaerker 49A 55V
MOSFET-Typ: N-Kanal- Aktuelle Bewertung: 49A RDS (): 17.5mΩ Spannung FSK: 55V Diese sind nagelneu. Lieferumfang: 50 x IRFZ44N Transistor
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 7,2A 110W 500V unipolar -3 STP9NK50Z N-Kanal-Transistoren _1GH_STP9NK50Z
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 7,2A 110W 500V unipolar -3 STP9NK50Z N-Kanal-Transistoren _1GH_STP9NK50Z
Hersteller: STMicroelectronics Verlustleistung: 110W Polarisierung: unipolar Technologie: SuperMesh™ Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate Drainstrom: 7.2A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 500V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: -3 Widerst im Leitungszust: 8Ω Gate-Source Spannung: 30V Montage: THT
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 35W 700V 4,7A unipolar FP STP9NK70ZFP N-Kanal-Transistore _1GH_STP9NK70ZFP
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 35W 700V 4,7A unipolar FP STP9NK70ZFP N-Kanal-Transistore _1GH_STP9NK70ZFP
Hersteller: STMicroelectronics Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: SuperMesh™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 700V Drainstrom: 4.7A Verlustleistung: 35W Gehäuse: TO220FP Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 1.2Ω Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate
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TNE 5x Transistor: N-MOSFET 4A 30V 1,4W unipolar SOT23 DMG3402L-7 N-Kanal-Transistore _1GH_DMG3402L-7
TNE 5x Transistor: N-MOSFET 4A 30V 1,4W unipolar SOT23 DMG3402L-7 N-Kanal-Transistore _1GH_DMG3402L-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED Verlustleistung: 1.4W Polarisierung: unipolar Drainstrom: 4A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 30V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: SOT23 Widerst im Leitungszust: 0.085Ω Gate-Source Spannung: 12V Montage: SMD
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 70W 500V 2,7A unipolar -3 STP5NK50Z N-Kanal-Transistoren _1GH_STP5NK50Z
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 70W 500V 2,7A unipolar -3 STP5NK50Z N-Kanal-Transistoren _1GH_STP5NK50Z
Hersteller: STMicroelectronics Verlustleistung: 70W Polarisierung: unipolar Technologie: SuperMesh™ Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate Drainstrom: 2.7A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 500V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: TO220-3 Widerst im Leitungszust: 1500mΩ Gate-Source Spannung: 30V Montage: THT
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 4,9A unipolar 42W 100V K IRFU120PBF N-Kanal-Transistoren _1GH_IRFU120PBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 4,9A unipolar 42W 100V K IRFU120PBF N-Kanal-Transistoren _1GH_IRFU120PBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 4.9A Verlustleistung: 42W Gehäuse: K Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 270mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 16nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 36W 1,2A 400V IRF710PBF N-Kanal-Transistoren THT _1GH_IRF710PBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 36W 1,2A 400V IRF710PBF N-Kanal-Transistoren THT _1GH_IRF710PBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 400V Drainstrom: 1.2A Verlustleistung: 36W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 3.6Ω Montage: THT Gate-Ladung: 17nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 500V unipolar 30W 6,3A FP STP11NK50ZFP N-Kanal-Transistor _1GH_STP11NK50ZFP
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 500V unipolar 30W 6,3A FP STP11NK50ZFP N-Kanal-Transistor _1GH_STP11NK50ZFP
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO220FP Verpackungs-Art: Tube Widerst im Leitungszust: 520mΩ Gate-Source Spannung: 30V Verlustleistung: 30W Polarisierung: unipolar Technologie: SuperMesh™ Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate Drainstrom: 6.3A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 500V Transistor-Typ: N-MOSFET
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 200V 35W 3,7A FP IRFI630GPBF N-Kanal-Transistore _1GH_IRFI630GPBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 200V 35W 3,7A FP IRFI630GPBF N-Kanal-Transistore _1GH_IRFI630GPBF
Hersteller: VISHAY Montage: THT Verlustleistung: 35W Gate-Ladung: 43nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 3.7A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 200V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: TO220FP Widerst im Leitungszust: 400mΩ Gate-Source Spannung: 20V
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 2,9A 40W unipolar 500V FP IRFI840GPBF N-Kanal-Transistore _1GH_IRFI840GPBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 2,9A 40W unipolar 500V FP IRFI840GPBF N-Kanal-Transistore _1GH_IRFI840GPBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 2.9A Verlustleistung: 40W Gehäuse: FP Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 8Ω Montage: THT Gate-Ladung: 67nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 900V IRFBF30PBF N-Kanal-Transistoren THT 2,3A 125W _1GH_IRFBF30
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 900V IRFBF30PBF N-Kanal-Transistoren THT 2,3A 125W _1GH_IRFBF30
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 900V Drainstrom: 2.3A Verlustleistung: 125W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 3.7Ω Montage: THT Gate-Ladung: 78nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 800V unipolar FQP6N80C N-Kanal-Transistoren THT 158W 3,2A _1GH_FQP6N80C
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 800V unipolar FQP6N80C N-Kanal-Transistoren THT 158W 3,2A _1GH_FQP6N80C
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: QFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 3.2A Verlustleistung: 158W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 2.5Ω Montage: THT Gate-Ladung: 30nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 8,2A unipolar 600V 35W FP STP13NK60ZFP N-Kanal-Transistor _1GH_STP13NK60ZFP
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 8,2A unipolar 600V 35W FP STP13NK60ZFP N-Kanal-Transistor _1GH_STP13NK60ZFP
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: FP Verpackungs-Art: Tube Widerst im Leitungszust: 5Ω Gate-Source Spannung: 30V Verlustleistung: 35W Polarisierung: unipolar Technologie: SuperMesh™ Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate Drainstrom: 8.2A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 600V Transistor-Typ: N-MOSFET
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Typecat 100er IRFZ44N IRFZ44 Transistor MOSFET N-Kanal-Verstaerker 49A 55V
Typecat 100er IRFZ44N IRFZ44 Transistor MOSFET N-Kanal-Verstaerker 49A 55V
MOSFET-Typ: N-Kanal- Aktuelle Bewertung: 49A RDS (): 17.5mΩ Spannung FSK: 55V Farbe: schwarz Menge: 100 Stück Material: Metall ...
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET 30V 9,5W unipolar 24A DFN5x6 AON6558 N-Kanal-Transistoren _1GH_AON6558
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET unipolar 25A 10,4W 30V DFN5x6 AON6576 N-Kanal-Transistore _1GH_AON6576
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET unipolar -60V AO4441 P-Kanal-Transistoren SMD -3,1A 2W _1GH_AO4441
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 6,4A unipolar 600V F AOTF10N60 N-Kanal-Transistoren THT _1GH_AOTF10N60
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 21W unipolar F AOTF4126 N-Kanal-Transistoren THT 100V 19A _1GH_AOTF4126
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TNE 3x Transistor: P-MOSFET -30V 2W -5,3A unipolar AO4459 P-Kanal-Transistoren SMD _1GH_AO4459
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 600V 4,4A 30W FP STP9NK60ZFP N-Kanal-Transistore _1GH_STP9NK60ZFP
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 600V 4,4A 30W FP STP9NK60ZFP N-Kanal-Transistore _1GH_STP9NK60ZFP
Hersteller: STMicroelectronics Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: SuperMesh™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 4.4A Verlustleistung: 30W Gehäuse: FP Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 9Ω Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate
3 Wochen
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 5,7A 35W 600V FP STP10NK60ZFP N-Kanal-Transistor _1GH_STP10NK60ZFP
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 5,7A 35W 600V FP STP10NK60ZFP N-Kanal-Transistor _1GH_STP10NK60ZFP
Hersteller: STMicroelectronics Verlustleistung: 35W Polarisierung: unipolar Technologie: SuperMesh™ Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate Drainstrom: 5.7A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 600V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: FP Widerst im Leitungszust: 7Ω Gate-Source Spannung: 30V Montage: THT
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 125W 6,3A 400V IRF740APBF N-Kanal-Transistoren THT _1GH_IRF740APBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 125W 6,3A 400V IRF740APBF N-Kanal-Transistoren THT _1GH_IRF740APBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 400V Drainstrom: 6.3A Verlustleistung: 125W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 5Ω Montage: THT Gate-Ladung: 36nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 7,6A unipolar 500V 150W -3 STP14NK50Z N-Kanal-Transistore _1GH_STP14NK50Z
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 7,6A unipolar 500V 150W -3 STP14NK50Z N-Kanal-Transistore _1GH_STP14NK50Z
Hersteller: STMicroelectronics Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: SuperMesh™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 7.6A Verlustleistung: 150W Gehäuse: TO220-3 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 380mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 500V 1,6A IRF820APBF N-Kanal-Transistoren THT 50W _1GH_IRF820APBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 500V 1,6A IRF820APBF N-Kanal-Transistoren THT 50W _1GH_IRF820APBF
Hersteller: VISHAY Montage: THT Verlustleistung: 50W Gate-Ladung: 17nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 1.6A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 500V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: Widerst im Leitungszust: 3Ω Gate-Source Spannung: 30V
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 60V 4,9A 25W DPAK IRFR014PBF N-Kanal-Transistore _1GH_IRFR014PBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 60V 4,9A 25W DPAK IRFR014PBF N-Kanal-Transistore _1GH_IRFR014PBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 4.9A Verlustleistung: 25W Gehäuse: DPAK Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 200mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 11nC Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 100V unipolar 2W AO4486 N-Kanal-Transistoren SMD 3,4A _1GH_AO4486
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET 30V 7,1A AO4404B N-Kanal-Transistoren SMD unipolar 2W _1GH_AO4404B
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 3,1A 500V unipolar 104W TO252 AOD5N50 N-Kanal-Transistore _1GH_AOD5N50
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