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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 250W 500V 8,5A unipolar AOT13N50 N-Kanal-Transistoren THT _1GH_AOT13N50
Hersteller: ALPHA
3 Wochen
7,75€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 600V unipolar 115W 5,7A -3 STP10NK60Z N-Kanal-Transistore _1GH_STP10NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics Verlustleistung: 115W Polarisierung: unipolar Technologie: SuperMesh™ Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate Drainstrom: 5.7A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 600V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: -3 Widerst im Leitungszust: 7Ω Gate-Source Spannung: 30V Montage: THT
3 Wochen
11,04€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 500V 25W 2,7A FP STP5NK50ZFP N-Kanal-Transistore _1GH_STP5NK50ZFP
Hersteller: STMicroelectronics Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: SuperMesh™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 2.7A Verlustleistung: 25W Gehäuse: TO220FP Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 1500mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate
3 Wochen
9,05€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 40V 47,5W unipolar 100A TO263 AOB2146L N-Kanal-Transistor _1GH_AOB2146L
Hersteller: ALPHA
3 Wochen
6,69€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 1,51A 20W 600V FP STP3NK60ZFP N-Kanal-Transistor _1GH_STP3NK60ZFP
Hersteller: STMicroelectronics Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: SuperMesh™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 1.51A Verlustleistung: 20W Gehäuse: TO220FP Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 3600mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate
3 Wochen
8,51€
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TNE Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0,32A; 260mW; SOT323 BSS138PW.115 N-Kanal-Transistoren SMD 8352
Technische Daten: -Transistor-Typ: N-MOSFET -Polarisierung: unipolar -Drain-Source Spannung: 60V -Drainstrom: 0.32A -Verlustleistung: 260mW -Gehäuse: SOT323 -Gate-Source Spannung: ±20V -Widerst im Leitungszust: 900mΩ -Montage: SMD -Gate-Ladung: 0.8nC -Verpackungs-Art: B -Verpackungs-Art: Rolle -Kanal-Art: stark -Lieferumfang: 5 Stk.
3-4 Werktage
5,79€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 25W 40A unipolar 40V TO263 AOB4184 N-Kanal-Transistoren SMD _1GH_AOB4184
Hersteller: ALPHA
3 Wochen
6,62€
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET 11A 2,5W FDS6690A N-Kanal-Transistoren SMD unipolar 30V _1GH_FDS6690A
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: Power® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 11A Verlustleistung: 2.5W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 22mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 16nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,40€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 900V 30W 3,65A unipolar FP STP6NK90ZFP N-Kanal-Transistor _1GH_STP6NK90ZFP
Hersteller: STMicroelectronics Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: SuperMesh™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 900V Drainstrom: 3.65A Verlustleistung: 30W Gehäuse: TO220FP Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 2000mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate
3 Wochen
9,07€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 100V unipolar 2W AO4486 N-Kanal-Transistoren SMD 3,4A _1GH_AO4486
Hersteller: ALPHA
3 Wochen
6,48€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar ™ M3 800V 29W 7A F WML08N80M3 N-Kanal-Transistor _1GH_WML08N80M3-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ M3 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 7A Verlustleistung: 29W Gehäuse: TO220F Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 1.38Ω Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,42€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 60V unipolar 7,2A 43W IRFZ14PBF N-Kanal-Transistoren THT _1GH_IRFZ14PBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 7.2A Verlustleistung: 43W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 200mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 11nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
7,33€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 60V 18A unipolar 20,5W AOT2618L N-Kanal-Transistoren THT _1GH_AOT2618L
Hersteller: ALPHA
3 Wochen
6,96€
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET 30V 21A 9W unipolar DFN3x3 EP AON7430 N-Kanal-Transistore _1GH_AON7430
Hersteller: ALPHA
3 Wochen
6,39€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 3,8A 600V unipolar 110W -3 STP6NK60Z N-Kanal-Transistoren _1GH_STP6NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics Verlustleistung: 110W Polarisierung: unipolar Technologie: SuperMesh™ Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate Drainstrom: 3.8A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 600V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: TO220-3 Widerst im Leitungszust: 1200mΩ Gate-Source Spannung: 30V Montage: THT
3 Wochen
7,49€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 5,6A unipolar 300V 90W -3 STP12NK30Z N-Kanal-Transistoren _1GH_STP12NK30Z
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO220-3 Verpackungs-Art: Tube Widerst im Leitungszust: 400mΩ Gate-Source Spannung: 30V Verlustleistung: 90W Polarisierung: unipolar Technologie: SuperMesh™ Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate Drainstrom: 5.6A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 300V Transistor-Typ: N-MOSFET
3 Wochen
9,41€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 83W 150V 13,5A unipolar TO252 AOD256 N-Kanal-Transistoren _1GH_AOD256
Hersteller: ALPHA
3 Wochen
6,34€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 1,9A 39W 800V unipolar FP FQPF3N80C N-Kanal-Transistoren _1GH_FQPF3N80C
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: QFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 1.9A Verlustleistung: 39W Gehäuse: TO220FP Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 4.8Ω Montage: THT Gate-Ladung: 16.5nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
8,05€
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET 30V 7,1A AO4404B N-Kanal-Transistoren SMD unipolar 2W _1GH_AO4404B
Hersteller: ALPHA
3 Wochen
6,44€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 40V 1,1W 8A unipolar AO4484 N-Kanal-Transistoren SMD _1GH_AO4484
Hersteller: ALPHA
3 Wochen
6,17€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 9A ™ C2 unipolar 28W 650V F WML11N65C2 N-Kanal-Transistor _1GH_WML11N65C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 9A Verlustleistung: 28W Gehäuse: TO220F Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 540mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,62€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 4,4A 125W 600V -3 STP9NK60Z N-Kanal-Transistoren _1GH_STP9NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: SuperMesh™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 4.4A Verlustleistung: 125W Gehäuse: -3 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 9Ω Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate
3 Wochen
10,17€
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET 6A 1,28W unipolar 30V TSOP6 AO6402A N-Kanal-Transistoren _1GH_AO6402A
Hersteller: ALPHA
3 Wochen
5,83€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 25W 600V 2,5A FP STP4NK60ZFP N-Kanal-Transistore _1GH_STP4NK60ZFP
Hersteller: STMicroelectronics Verlustleistung: 25W Polarisierung: unipolar Technologie: SuperMesh™ Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate Drainstrom: 2.5A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 600V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: TO220FP Widerst im Leitungszust: 2Ω Gate-Source Spannung: 30V Montage: THT
3 Wochen
8,47€
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET 60V 20W 12A unipolar TO252 AOD444 N-Kanal-Transistoren SMD _1GH_AOD444
Hersteller: ALPHA
3 Wochen
6,48€
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET 30V unipolar 9,9A 2,5W IRL6342TRPBF N-Kanal-Transistoren _1GH_IRL6342TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 9.9A Verlustleistung: 2.5W Gehäuse: Widerst im Leitungszust: 14.6mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
3 Wochen
6,08€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 3,1A 500V unipolar 104W TO252 AOD5N50 N-Kanal-Transistore _1GH_AOD5N50
Hersteller: ALPHA
3 Wochen
7,46€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 2W unipolar 30V 11,4A AO4492 N-Kanal-Transistoren SMD _1GH_AO4492
Hersteller: ALPHA
3 Wochen
6,74€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 36A 100V TO263 AOB414 N-Kanal-Transistoren SMD 75W unipolar _1GH_AOB414
Hersteller: ALPHA
3 Wochen
6,98€
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TNE 20x Transistor: P-MOSFET unipolar -3A -20V SOT23 LGE2301 P-Kanal-Transistoren SMD 1W _1GH_LGE2301-LGE
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -20V Drainstrom: -3A Verlustleistung: 1W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 12V Widerst im Leitungszust: 140mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 12nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,77€
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