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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 600V unipolar 115W 5,7A -3 STP10NK60Z N-Kanal-Transistore _1GH_STP10NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics Verlustleistung: 115W Polarisierung: unipolar Technologie: SuperMesh™ Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate Drainstrom: 5.7A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 600V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: -3 Widerst im Leitungszust: 7Ω Gate-Source Spannung: 30V Montage: THT
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 500V 25W 2,7A FP STP5NK50ZFP N-Kanal-Transistore _1GH_STP5NK50ZFP
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Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: Power® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 11A Verlustleistung: 2.5W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 22mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 16nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 40V 1,1W 8A unipolar AO4484 N-Kanal-Transistoren SMD _1GH_AO4484
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Hersteller: STMicroelectronics Verlustleistung: 25W Polarisierung: unipolar Technologie: SuperMesh™ Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate Drainstrom: 2.5A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 600V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: TO220FP Widerst im Leitungszust: 2Ω Gate-Source Spannung: 30V Montage: THT
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 9.9A Verlustleistung: 2.5W Gehäuse: Widerst im Leitungszust: 14.6mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 36A 100V TO263 AOB414 N-Kanal-Transistoren SMD 75W unipolar _1GH_AOB414
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TNE 20x Transistor: P-MOSFET unipolar -3A -20V SOT23 LGE2301 P-Kanal-Transistoren SMD 1W _1GH_LGE2301-LGE
TNE 20x Transistor: P-MOSFET unipolar -3A -20V SOT23 LGE2301 P-Kanal-Transistoren SMD 1W _1GH_LGE2301-LGE
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -20V Drainstrom: -3A Verlustleistung: 1W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 12V Widerst im Leitungszust: 140mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 12nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
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