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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 150V F AOTF454L N-Kanal-Transistoren THT 16W 8A _1GH_AOTF454L
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 150V F AOTF454L N-Kanal-Transistoren THT 16W 8A _1GH_AOTF454L
Hersteller: ALPHA
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 250V 2,4A 42W DPAK IRFR224PBF N-Kanal-Transistor _1GH_IRFR224PBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 250V 2,4A 42W DPAK IRFR224PBF N-Kanal-Transistor _1GH_IRFR224PBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 250V Drainstrom: 2.4A Verlustleistung: 42W Gehäuse: DPAK Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 1.1Ω Montage: SMD Gate-Ladung: 14nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 36W 1,2A 400V IRF710PBF N-Kanal-Transistoren THT _1GH_IRF710PBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 36W 1,2A 400V IRF710PBF N-Kanal-Transistoren THT _1GH_IRF710PBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 400V Drainstrom: 1.2A Verlustleistung: 36W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 3.6Ω Montage: THT Gate-Ladung: 17nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 2,9A 40W unipolar 500V FP IRFI840GPBF N-Kanal-Transistore _1GH_IRFI840GPBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 2,9A 40W unipolar 500V FP IRFI840GPBF N-Kanal-Transistore _1GH_IRFI840GPBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 2.9A Verlustleistung: 40W Gehäuse: FP Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 8Ω Montage: THT Gate-Ladung: 67nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 900V IRFBF30PBF N-Kanal-Transistoren THT 2,3A 125W _1GH_IRFBF30
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 900V IRFBF30PBF N-Kanal-Transistoren THT 2,3A 125W _1GH_IRFBF30
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 900V Drainstrom: 2.3A Verlustleistung: 125W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 3.7Ω Montage: THT Gate-Ladung: 78nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 4,9A unipolar 42W 100V K IRFU120PBF N-Kanal-Transistoren _1GH_IRFU120PBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 4,9A unipolar 42W 100V K IRFU120PBF N-Kanal-Transistoren _1GH_IRFU120PBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 4.9A Verlustleistung: 42W Gehäuse: K Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 270mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 16nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 5x Transistor: N-MOSFET 4A 30V 1,4W unipolar SOT23 DMG3402L-7 N-Kanal-Transistore _1GH_DMG3402L-7
TNE 5x Transistor: N-MOSFET 4A 30V 1,4W unipolar SOT23 DMG3402L-7 N-Kanal-Transistore _1GH_DMG3402L-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED Verlustleistung: 1.4W Polarisierung: unipolar Drainstrom: 4A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 30V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: SOT23 Widerst im Leitungszust: 0.085Ω Gate-Source Spannung: 12V Montage: SMD
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 35W 700V 4,7A unipolar FP STP9NK70ZFP N-Kanal-Transistore _1GH_STP9NK70ZFP
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 35W 700V 4,7A unipolar FP STP9NK70ZFP N-Kanal-Transistore _1GH_STP9NK70ZFP
Hersteller: STMicroelectronics Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: SuperMesh™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 700V Drainstrom: 4.7A Verlustleistung: 35W Gehäuse: TO220FP Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 1.2Ω Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET 38W K IRLU024NPBF N-Kanal-Transistoren THT 17A 55V unipolar _1GH_IRLU024NPBF
TNE 3x Transistor: N-MOSFET 38W K IRLU024NPBF N-Kanal-Transistoren THT 17A 55V unipolar _1GH_IRLU024NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 17A Verlustleistung: 38W Gehäuse: IPAK Montage: THT Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 8,2A unipolar 600V 35W FP STP13NK60ZFP N-Kanal-Transistor _1GH_STP13NK60ZFP
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 8,2A unipolar 600V 35W FP STP13NK60ZFP N-Kanal-Transistor _1GH_STP13NK60ZFP
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: FP Verpackungs-Art: Tube Widerst im Leitungszust: 5Ω Gate-Source Spannung: 30V Verlustleistung: 35W Polarisierung: unipolar Technologie: SuperMesh™ Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate Drainstrom: 8.2A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 600V Transistor-Typ: N-MOSFET
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 800V unipolar FQP6N80C N-Kanal-Transistoren THT 158W 3,2A _1GH_FQP6N80C
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 800V unipolar FQP6N80C N-Kanal-Transistoren THT 158W 3,2A _1GH_FQP6N80C
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: QFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 3.2A Verlustleistung: 158W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 2.5Ω Montage: THT Gate-Ladung: 30nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 5x Transistor: N-MOSFET 1,7A 800mW unipolar 55V SOT23 AO3422 N-Kanal-Transistoren _1GH_AO3422
TNE 5x Transistor: N-MOSFET 1,7A 800mW unipolar 55V SOT23 AO3422 N-Kanal-Transistoren _1GH_AO3422
Hersteller: ALPHA
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar F AOTF12N60 N-Kanal-Transistoren THT 600V 9,7A _1GH_AOTF12N60
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar F AOTF12N60 N-Kanal-Transistoren THT 600V 9,7A _1GH_AOTF12N60
Hersteller: ALPHA
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 500V unipolar 30W 6,3A FP STP11NK50ZFP N-Kanal-Transistor _1GH_STP11NK50ZFP
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 500V unipolar 30W 6,3A FP STP11NK50ZFP N-Kanal-Transistor _1GH_STP11NK50ZFP
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO220FP Verpackungs-Art: Tube Widerst im Leitungszust: 520mΩ Gate-Source Spannung: 30V Verlustleistung: 30W Polarisierung: unipolar Technologie: SuperMesh™ Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate Drainstrom: 6.3A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 500V Transistor-Typ: N-MOSFET
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 200V 35W 3,7A FP IRFI630GPBF N-Kanal-Transistore _1GH_IRFI630GPBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 200V 35W 3,7A FP IRFI630GPBF N-Kanal-Transistore _1GH_IRFI630GPBF
Hersteller: VISHAY Montage: THT Verlustleistung: 35W Gate-Ladung: 43nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 3.7A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 200V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: TO220FP Widerst im Leitungszust: 400mΩ Gate-Source Spannung: 20V
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 7,2A 110W 500V unipolar -3 STP9NK50Z N-Kanal-Transistoren _1GH_STP9NK50Z
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 7,2A 110W 500V unipolar -3 STP9NK50Z N-Kanal-Transistoren _1GH_STP9NK50Z
Hersteller: STMicroelectronics Verlustleistung: 110W Polarisierung: unipolar Technologie: SuperMesh™ Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate Drainstrom: 7.2A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 500V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: -3 Widerst im Leitungszust: 8Ω Gate-Source Spannung: 30V Montage: THT
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 150W unipolar 1kV 4A -3 IXFP4N100P N-Kanal-Transistoren THT _1GH_IXFP4N100P
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 150W unipolar 1kV 4A -3 IXFP4N100P N-Kanal-Transistoren THT _1GH_IXFP4N100P
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 4A Verlustleistung: 150W Gehäuse: TO220-3 Montage: THT Gate-Ladung: 26nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 5,7A 178W unipolar 500V TO252 AOD9N50 N-Kanal-Transistore _1GH_AOD9N50
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 5,7A 178W unipolar 500V TO252 AOD9N50 N-Kanal-Transistore _1GH_AOD9N50
Hersteller: ALPHA
3 Wochen
6,02€
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET unipolar 12,5W 30V 30A DFN5x6 AON6414A N-Kanal-Transistor _1GH_AON6414A
TNE 3x Transistor: N-MOSFET unipolar 12,5W 30V 30A DFN5x6 AON6414A N-Kanal-Transistor _1GH_AON6414A
Hersteller: ALPHA
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 70W 500V 2,7A unipolar -3 STP5NK50Z N-Kanal-Transistoren _1GH_STP5NK50Z
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 70W 500V 2,7A unipolar -3 STP5NK50Z N-Kanal-Transistoren _1GH_STP5NK50Z
Hersteller: STMicroelectronics Verlustleistung: 70W Polarisierung: unipolar Technologie: SuperMesh™ Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate Drainstrom: 2.7A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 500V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: TO220-3 Widerst im Leitungszust: 1500mΩ Gate-Source Spannung: 30V Montage: THT
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TNE 20x Transistor: N-MOSFET 2,1A 0,35W unipolar 20V SOT23 LGE2302 N-Kanal-Transistore _1GH_LGE2302-LGE
TNE 20x Transistor: N-MOSFET 2,1A 0,35W unipolar 20V SOT23 LGE2302 N-Kanal-Transistore _1GH_LGE2302-LGE
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 2.1A Verlustleistung: 0.35W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 8V Widerst im Leitungszust: 115mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 10nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
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TNE Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2,6A; 1,3W; SOT23 IRLML2246TRPBF P-Kanal-Transistoren SMD 7491
TNE Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2,6A; 1,3W; SOT23 IRLML2246TRPBF P-Kanal-Transistoren SMD 7491
Hersteller: Infineon (IRF) Transistor-Typ: P-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -20V Drainstrom: -2.6A Verlustleistung: 1.3W Gehäuse: SOT23 Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
3-4 Werktage
4,79€
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Equivera 50 Stück IRFZ44N Transistor, N-Kanal-MOSFET, 49A, 55V, International Rectifier
Equivera 50 Stück IRFZ44N Transistor, N-Kanal-MOSFET, 49A, 55V, International Rectifier
Geeignet für hohe Ströme: 49 A Dauerentladestrom (bei 25 °C) mit einer Durchbruchspannung von 55 V. Ideal für anspruchsvolle Anwendungen wie industrielle Motorantriebe, Schweißgeräte und Gleichstrom-Wechselstrom-Wandler, die eine effiziente Leistungsumwandlung erfordern. Design mit geringem Widerstand: 17,5 mΩ Rds(on) bei einer Gate-Ansteuerung von 10 V, wodurch der Energieverlust minimiert wird. Schnelle Schaltperformance: 12 ns Einschaltzeit
3-6 Werktage
38,97€
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Azoro
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 650V 10A unipolar F 10N65 N-Kanal-Transistoren THT 27,5W _1GH_10N65-LGE
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 650V 10A unipolar F 10N65 N-Kanal-Transistoren THT 27,5W _1GH_10N65-LGE
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC Montage: THT Gehäuse: TO220F Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 650V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Widerst im Leitungszust: 0.63Ω Gate-Source Spannung: 30V Verlustleistung: 27.5W Gate-Ladung: 45nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 10A
3 Wochen
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TNE Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6,3A; 1,3W; SOT23 IRLML6244TRPBF N-Kanal-Transistoren SMD 8453
TNE Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6,3A; 1,3W; SOT23 IRLML6244TRPBF N-Kanal-Transistoren SMD 8453
Technische Daten: -Transistor-Typ: N-MOSFET -Technologie: ® -Polarisierung: unipolar -Drain-Source Spannung: 20V -Drainstrom: 6.3A -Verlustleistung: 1.3W -Gehäuse: SOT23 -Gate-Source Spannung: ±12V -Widerst im Leitungszust: 21mΩ -Montage: SMD -Gate-Ladung: 8.9nC -Kanal-Art: stark -Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level -Lieferumfang: 5 Stk.
3-4 Werktage
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TNE Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3,8A; 2,1W; SOT223 IRLL2705TRPBF N-Kanal-Transistoren SMD 8350
TNE Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3,8A; 2,1W; SOT223 IRLL2705TRPBF N-Kanal-Transistoren SMD 8350
Technische Daten: -Transistor-Typ: N-MOSFET -Technologie: HEXFET® -Polarisierung: unipolar -Drain-Source Spannung: 55V -Drainstrom: 3.8A -Verlustleistung: 2.1W -Gehäuse: SOT223 -Montage: SMD -Verpackungs-Art: Rolle -Kanal-Art: stark -Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level -Lieferumfang: 2 Stk.
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Niniang 10 Stück IRFP460 20A 500V Transistor MOSFet Leistung mit N-Kanal
Niniang 10 Stück IRFP460 20A 500V Transistor MOSFet Leistung mit N-Kanal
Material: Kunststoff + Metall Stromstärke: 20 A Produktname: N-Kanal-Transistor mit großem Chip IRFP460 Farbe: Schwarz + Silber Spannung: 500 V
23,23€
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MagiDeal 5er P75NF75 Transistor MOSFET N- Niedrige Gate- 80A 75V
MagiDeal 5er P75NF75 Transistor MOSFET N- Niedrige Gate- 80A 75V
Modellnummer: : P75NF75 Ausgangsspannung: 75 V Ablaufstrom: 80 A Paket: TO-220 Montagelochdurchmesser: ca. 3 mm
25,36€
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amagogouk
TNE 3x Transistor: N-MOSFET 56,8W 1,4A unipolar 600V TO252 AOD2N60 N-Kanal-Transistor _1GH_AOD2N60
TNE 3x Transistor: N-MOSFET 56,8W 1,4A unipolar 600V TO252 AOD2N60 N-Kanal-Transistor _1GH_AOD2N60
Hersteller: ALPHA
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6,64€
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TNE 20x Transistor: P-MOSFET unipolar -4,1A 1,7W -20V SOT23 LGE2305 P-Kanal-Transistor _1GH_LGE2305-LGE
TNE 20x Transistor: P-MOSFET unipolar -4,1A 1,7W -20V SOT23 LGE2305 P-Kanal-Transistor _1GH_LGE2305-LGE
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -20V Drainstrom: -4.1A Verlustleistung: 1.7W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 8V Widerst im Leitungszust: 75mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 7.8nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
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