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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 60V 18A unipolar 20,5W AOT2618L N-Kanal-Transistoren THT _1GH_AOT2618L
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 60V 18A unipolar 20,5W AOT2618L N-Kanal-Transistoren THT _1GH_AOT2618L
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET 6A 1,28W unipolar 30V TSOP6 AO6402A N-Kanal-Transistoren _1GH_AO6402A
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 2W unipolar 30V 11,4A AO4492 N-Kanal-Transistoren SMD _1GH_AO4492
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 36A 100V TO263 AOB414 N-Kanal-Transistoren SMD 75W unipolar _1GH_AOB414
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 150V F AOTF454L N-Kanal-Transistoren THT 16W 8A _1GH_AOTF454L
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 83W 150V 13,5A unipolar TO252 AOD256 N-Kanal-Transistoren _1GH_AOD256
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET 60V 20W 12A unipolar TO252 AOD444 N-Kanal-Transistoren SMD _1GH_AOD444
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 40V 1,1W 8A unipolar AO4484 N-Kanal-Transistoren SMD _1GH_AO4484
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET 30V 21A 9W unipolar DFN3x3 EP AON7430 N-Kanal-Transistore _1GH_AON7430
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET 11A 2,5W FDS6690A N-Kanal-Transistoren SMD unipolar 30V _1GH_FDS6690A
TNE 3x Transistor: N-MOSFET 11A 2,5W FDS6690A N-Kanal-Transistoren SMD unipolar 30V _1GH_FDS6690A
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: Power® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 11A Verlustleistung: 2.5W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 22mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 16nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 3,8A 600V unipolar 110W -3 STP6NK60Z N-Kanal-Transistoren _1GH_STP6NK60Z
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 3,8A 600V unipolar 110W -3 STP6NK60Z N-Kanal-Transistoren _1GH_STP6NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics Verlustleistung: 110W Polarisierung: unipolar Technologie: SuperMesh™ Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate Drainstrom: 3.8A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 600V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: TO220-3 Widerst im Leitungszust: 1200mΩ Gate-Source Spannung: 30V Montage: THT
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 25W 600V 2,5A FP STP4NK60ZFP N-Kanal-Transistore _1GH_STP4NK60ZFP
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 25W 600V 2,5A FP STP4NK60ZFP N-Kanal-Transistore _1GH_STP4NK60ZFP
Hersteller: STMicroelectronics Verlustleistung: 25W Polarisierung: unipolar Technologie: SuperMesh™ Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate Drainstrom: 2.5A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 600V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: TO220FP Widerst im Leitungszust: 2Ω Gate-Source Spannung: 30V Montage: THT
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TNE 20x Transistor: P-MOSFET unipolar -3A -20V SOT23 LGE2301 P-Kanal-Transistoren SMD 1W _1GH_LGE2301-LGE
TNE 20x Transistor: P-MOSFET unipolar -3A -20V SOT23 LGE2301 P-Kanal-Transistoren SMD 1W _1GH_LGE2301-LGE
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -20V Drainstrom: -3A Verlustleistung: 1W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 12V Widerst im Leitungszust: 140mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 12nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 250V 2,4A 42W DPAK IRFR224PBF N-Kanal-Transistor _1GH_IRFR224PBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 250V 2,4A 42W DPAK IRFR224PBF N-Kanal-Transistor _1GH_IRFR224PBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 250V Drainstrom: 2.4A Verlustleistung: 42W Gehäuse: DPAK Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 1.1Ω Montage: SMD Gate-Ladung: 14nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 4,4A 125W 600V -3 STP9NK60Z N-Kanal-Transistoren _1GH_STP9NK60Z
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 4,4A 125W 600V -3 STP9NK60Z N-Kanal-Transistoren _1GH_STP9NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: SuperMesh™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 4.4A Verlustleistung: 125W Gehäuse: -3 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 9Ω Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 5,6A unipolar 300V 90W -3 STP12NK30Z N-Kanal-Transistoren _1GH_STP12NK30Z
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 5,6A unipolar 300V 90W -3 STP12NK30Z N-Kanal-Transistoren _1GH_STP12NK30Z
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO220-3 Verpackungs-Art: Tube Widerst im Leitungszust: 400mΩ Gate-Source Spannung: 30V Verlustleistung: 90W Polarisierung: unipolar Technologie: SuperMesh™ Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate Drainstrom: 5.6A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 300V Transistor-Typ: N-MOSFET
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 60V unipolar 7,2A 43W IRFZ14PBF N-Kanal-Transistoren THT _1GH_IRFZ14PBF
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Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 7.2A Verlustleistung: 43W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 200mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 11nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET 30V unipolar 9,9A 2,5W IRL6342TRPBF N-Kanal-Transistoren _1GH_IRL6342TRPBF
TNE 3x Transistor: N-MOSFET 30V unipolar 9,9A 2,5W IRL6342TRPBF N-Kanal-Transistoren _1GH_IRL6342TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 9.9A Verlustleistung: 2.5W Gehäuse: Widerst im Leitungszust: 14.6mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 1,9A 39W 800V unipolar FP FQPF3N80C N-Kanal-Transistoren _1GH_FQPF3N80C
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 1,9A 39W 800V unipolar FP FQPF3N80C N-Kanal-Transistoren _1GH_FQPF3N80C
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: QFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 1.9A Verlustleistung: 39W Gehäuse: TO220FP Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 4.8Ω Montage: THT Gate-Ladung: 16.5nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 9A ™ C2 unipolar 28W 650V F WML11N65C2 N-Kanal-Transistor _1GH_WML11N65C2-CYG
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 9A ™ C2 unipolar 28W 650V F WML11N65C2 N-Kanal-Transistor _1GH_WML11N65C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 9A Verlustleistung: 28W Gehäuse: TO220F Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 540mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar ™ M3 800V 29W 7A F WML08N80M3 N-Kanal-Transistor _1GH_WML08N80M3-CYG
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar ™ M3 800V 29W 7A F WML08N80M3 N-Kanal-Transistor _1GH_WML08N80M3-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ M3 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 7A Verlustleistung: 29W Gehäuse: TO220F Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 1.38Ω Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 900V 30W 3,65A unipolar FP STP6NK90ZFP N-Kanal-Transistor _1GH_STP6NK90ZFP
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 900V 30W 3,65A unipolar FP STP6NK90ZFP N-Kanal-Transistor _1GH_STP6NK90ZFP
Hersteller: STMicroelectronics Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: SuperMesh™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 900V Drainstrom: 3.65A Verlustleistung: 30W Gehäuse: TO220FP Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 2000mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate
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TNE Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2,6A; 1,3W; SOT23 IRLML2246TRPBF P-Kanal-Transistoren SMD 7491
TNE Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2,6A; 1,3W; SOT23 IRLML2246TRPBF P-Kanal-Transistoren SMD 7491
Hersteller: Infineon (IRF) Transistor-Typ: P-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -20V Drainstrom: -2.6A Verlustleistung: 1.3W Gehäuse: SOT23 Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
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TNE 20x Transistor: N-MOSFET 2,1A 0,35W unipolar 20V SOT23 LGE2302 N-Kanal-Transistore _1GH_LGE2302-LGE
TNE 20x Transistor: N-MOSFET 2,1A 0,35W unipolar 20V SOT23 LGE2302 N-Kanal-Transistore _1GH_LGE2302-LGE
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 2.1A Verlustleistung: 0.35W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 8V Widerst im Leitungszust: 115mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 10nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
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MagiDeal 5er 10N60 Transistor MOSFET N- 10A 600V TO-220F DEB14008666
MagiDeal 5er 10N60 Transistor MOSFET N- 10A 600V TO-220F DEB14008666
Diese neueste Technologie wurde speziell entwickelt, um auf -Zustand Widerstand zu minimieren, haben eine hohe Lawinen robusten Eigenschaften. Diese Geräte ist besonders gut für hocheffiziente Schaltnetzteile, Leistungsfaktorkorrektur, UPS und einem elektronischem Vorschaltgerät auf Basis Halbbrücke geeignet. Modell Nr. 10N60 Drain-Source-Spannung 600V Drain-Strom 10A
20,69€
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TNE Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3,8A; 2,1W; SOT223 IRLL2705TRPBF N-Kanal-Transistoren SMD 8350
TNE Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3,8A; 2,1W; SOT223 IRLL2705TRPBF N-Kanal-Transistoren SMD 8350
Technische Daten: -Transistor-Typ: N-MOSFET -Technologie: HEXFET® -Polarisierung: unipolar -Drain-Source Spannung: 55V -Drainstrom: 3.8A -Verlustleistung: 2.1W -Gehäuse: SOT223 -Montage: SMD -Verpackungs-Art: Rolle -Kanal-Art: stark -Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level -Lieferumfang: 2 Stk.
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SUM110P04-05-E3 Transistor: P-MOSFET unipolar -40V -33A 375W D2PAK VISHAY 143839
SUM110P04-05-E3 Transistor: P-MOSFET unipolar -40V -33A 375W D2PAK VISHAY 143839
Transistor-Typ: P-MOSFET Gate-Source Spannung: ±20V Verlustleistung: 375W Gate-Ladung: 280nC Polarisierung: unipolar
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 650V 10A unipolar F 10N65 N-Kanal-Transistoren THT 27,5W _1GH_10N65-LGE
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 650V 10A unipolar F 10N65 N-Kanal-Transistoren THT 27,5W _1GH_10N65-LGE
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC Montage: THT Gehäuse: TO220F Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 650V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Widerst im Leitungszust: 0.63Ω Gate-Source Spannung: 30V Verlustleistung: 27.5W Gate-Ladung: 45nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 10A
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TNE Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6,3A; 1,3W; SOT23 IRLML6244TRPBF N-Kanal-Transistoren SMD 8453
TNE Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6,3A; 1,3W; SOT23 IRLML6244TRPBF N-Kanal-Transistoren SMD 8453
Technische Daten: -Transistor-Typ: N-MOSFET -Technologie: ® -Polarisierung: unipolar -Drain-Source Spannung: 20V -Drainstrom: 6.3A -Verlustleistung: 1.3W -Gehäuse: SOT23 -Gate-Source Spannung: ±12V -Widerst im Leitungszust: 21mΩ -Montage: SMD -Gate-Ladung: 8.9nC -Kanal-Art: stark -Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level -Lieferumfang: 5 Stk.
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TNE Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4,7A; 1,4W; SOT23 AO3400A N-Kanal-Transistoren SMD 7320
TNE Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4,7A; 1,4W; SOT23 AO3400A N-Kanal-Transistoren SMD 7320
Hersteller: ALPHA SEMICONDUCTOR Montage: SMD Verlustleistung: 1.4W Gate-Ladung: 6nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 4.7A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 30V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: SOT23 Widerst im Leitungszust: 26.5m? Gate-Source Spannung: ±12V
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