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TNE 5x Transistor: N-MOSFET 0,9W SOT23 AO3420 N-Kanal-Transistoren SMD unipolar 5A 20V _1GH_AO3420
Hersteller: ALPHA
3 Wochen
6,49€
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET 56,8W 1,4A unipolar 600V TO252 AOD2N60 N-Kanal-Transistor _1GH_AOD2N60
Hersteller: ALPHA
3 Wochen
6,64€
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Elektronischer Bauteilanalysator mit Drehschalter und Farbbildschirm zur Diagnose von Transistoren, MOSFETs und Thyristoren in Bildungs- und
Dieser elektronische Bauteilanalysator mit Drehregler wurde speziell für den Einsatz in Bildungseinrichtungen und praktischen...
6-8 Tage
25,63€
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TNE 20x Transistor: P-MOSFET unipolar -4,1A 1,7W -20V SOT23 LGE2305 P-Kanal-Transistor _1GH_LGE2305-LGE
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -20V Drainstrom: -4.1A Verlustleistung: 1.7W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 8V Widerst im Leitungszust: 75mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 7.8nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,28€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 33,2W F 12N65 N-Kanal-Transistoren THT 650V unipolar 12A _1GH_12N65-LGE
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC Montage: THT Gehäuse: TO220F Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 650V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Widerst im Leitungszust: 0.54Ω Gate-Source Spannung: 30V Verlustleistung: 33.2W Gate-Ladung: 50.5nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 12A
3 Wochen
6,62€
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TNE 1x Transistor: N/P-MOSFET complementary pair unipolar 30/-30V AOD607A Multikanalt _1GH_AOD607A
Hersteller: ALPHA
3 Wochen
6,48€
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TNE 3x Transistor: N/P-MOSFET complementary pair unipolar 20/-20V AO6604 Multikanaltr _1GH_AO6604
Hersteller: ALPHA
3 Wochen
6,51€
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TNE 3x Transistor: N/P-MOSFET complementary pair unipolar 30/-30V AO4629 Multikanaltr _1GH_AO4629
Hersteller: ALPHA
3 Wochen
6,60€
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MagiDeal 5er P75NF75 Transistor MOSFET N- Niedrige Gate- 80A 75V DEB14008665
Es ist, als Hauptschalter in fortgeschrittenen hocheffizienten geeignet, Hochfrequenz-isolierten -Wandler für -und Computer-Anwendungen. Es ist auch für beliebige Anwendungen mit niedrigen Gate-Antriebsanforderungen bestimmt. Drain-Source Spannung 75V Drain-Strom 80A Paket TO-220
21,29€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 38W unipolar 55V 16A DPAK IRFR024NTRPBF N-Kanal-Transisto _1GH_IRFR024NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 16A Verlustleistung: 38W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
5,76€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 38W 55V 17A unipolar DPAK IRLR024NTRPBF N-Kanal-Transisto _1GH_IRLR024NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 17A Verlustleistung: 38W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
3 Wochen
6,28€
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET 55V unipolar 68W 28A DPAK IRLR2705TRPBF N-Kanal-Transisto _1GH_IRLR2705TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 28A Verlustleistung: 68W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
3 Wochen
6,70€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 56A unipolar 107W 120V PG--3 IPP147N12N3GXKSA1 N-Kanal-Tr _1GH_IPP147N12N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ 3 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 120V Drainstrom: 56A Verlustleistung: 107W Gehäuse: PG-TO220-3 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 14.7mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
7,58€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 43A 150V 200W unipolar TO247AC IRFP3415PBF N-Kanal-Transi _1GH_IRFP3415PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 43A Verlustleistung: 200W Gehäuse: TO247AC Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 42mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 133.3nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
9,38€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 22A 500W 600V TO263 IXFA22N60P3 N-Kanal-Transist _1GH_IXFA22N60P3
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 22A Verlustleistung: 500W Gehäuse: TO263 Widerst im Leitungszust: 390mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 38nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
11,73€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 60V 200A unipolar 250W D2PAK CSD18542KTTT N-Kanal-Transis _1GH_CSD18542KTTT
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: NexFET™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 200A Verlustleistung: 250W Gehäuse: D2PAK Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 3.3mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 44nC Verpackungs-Art: Tube
3 Wochen
7,24€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 190W unipolar 500V 7A I2PAK IRFSL11N50APBF N-Kanal-Transi _1GH_IRFSL11N50APBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 7A Verlustleistung: 190W Gehäuse: I2PAK Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 5Ω Montage: THT Gate-Ladung: 51nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
7,86€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar MDmesh™ || 600V 20A 250W STP34NM60N N-Kanal-Tran _1GH_STP34NM60N
Hersteller: STMicroelectronics Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: MDmesh™ || Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 20A Verlustleistung: 250W Gehäuse: TO220-3 Gate-Source Spannung: 25V Widerst im Leitungszust: 105mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
19,43€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 100V unipolar 94W 27A TO247AC IRFP140NPBF N-Kanal-Transis _1GH_IRFP140NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 27A Verlustleistung: 94W Gehäuse: TO247AC Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 52mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 62.7nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
8,26€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 14A 150W 500V TO247 STW14NK50Z N-Kanal-Transisto _1GH_STW14NK50Z
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: TO247 Verlustleistung: 150W Technologie: SuperMesh™ Polarisierung: unipolar Drainstrom: 14A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 500V Transistor-Typ: N-MOSFET Widerst im Leitungszust: 380mΩ Gate-Source Spannung: 30V
3 Wochen
10,38€
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TNE 20x Transistor: N-MOSFET unipolar 170mA 60V Idm: 900mA NX7002BKR N-Kanal-Transisto _1GH_NX7002BKR
Hersteller: NEXPERIA Drainstrom im Impuls: 900mA Gate-Ladung: 1nC Polarisierung: unipolar Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level Drainstrom: 170mA Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: SOT23 Gehäuse: TO236AB Widerst im Leitungszust: 5.7Ω Montage: SMD
3 Wochen
5,37€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 500V 20A unipolar 380W TO247-3 IXFH20N50P3 N-Kanal-Transi _1GH_IXFH20N50P3
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 20A Verlustleistung: 380W Gehäuse: TO247-3 Widerst im Leitungszust: 300mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 36nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
15,63€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 200V X3-Class unipolar 36A 176W IXFP36N20X3 N-Kanal-Tran _1GH_IXFP36N20X3
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HiPerFET™ Technologie: X3-Class Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 36A Verlustleistung: 176W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 45mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 21nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Bereitschaftszeit: 75ns
3 Wochen
10,68€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 500V 380W 20A unipolar TO3P IXFQ20N50P3 N-Kanal-Transisto _1GH_IXFQ20N50P3
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 20A Verlustleistung: 380W Gehäuse: TO3P Widerst im Leitungszust: 300mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 36nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
14,46€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 150W 80A 75V PG--3 IPP052NE7N3GXKSA1 N-Kanal-Tra _1GH_IPP052NE7N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ 3 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 75V Drainstrom: 80A Verlustleistung: 150W Gehäuse: PG-TO220-3 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 5.2mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
7,61€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 800V 10A 300W TO263 IXFA10N80P N-Kanal-Transisto _1GH_IXFA10N80P
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 10A Verlustleistung: 300W Gehäuse: TO263 Montage: SMD Gate-Ladung: 40nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
11,62€
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET unipolar -13A -150V 110W DPAK IRFR6215TRPBF P-Kanal-Trans _1GH_IRFR6215TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: P-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -150V Drainstrom: -13A Verlustleistung: 110W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
7,86€
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TFT Transistortester TC-T7-H Farbige Grafikanzeige für Diode Triode Kondensator Widerstand Transistor NPN-PNP-MOSFET K6P-GM-GS13575
PRODUKTNAME --- Transistortester; Kondensator: 25pF-100mF; Widerstand: 0,01–50 MΩ; Induktor: 0,01 mH-20H; Batterie: 0,1-4,5 V TFT GRAPHIC --- Die Messergebnisse des Transistortesters werden durch eine TFT-Grafik angezeigt. Die Tastenbedienung und das automatische Herunterfahren (Timeout-Einstellung) INFRAROTWELLENFORMENANZEIGE --- Der Transistortester unterstützt Infrarotcodierung, Infrarotwellenformanzeige und Infrarotempfangsanweisungen LITHIUM ION BATTERY --- Der Transistortester ist mit einem wiederaufladbaren Lithium-Ionen mit hoher Kapazität und einer Spannungserkennung für Lithium-Ionen-Akkus ausgestattet AUTOMATISCHE ERFASSUNG --- Der Transistortester unterstützt die automatische Erkennung der Zenerdiode 0,01-20V; Selbsttest mit automatischer Kalibrierung
36,16€
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Kerindas
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 30V 89A 48W unipolar PG-TDSON-8 BSC0902NSIATMA1 N-Kanal-T _1GH_BSC0902NSIATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 89A Verlustleistung: 48W Gehäuse: PG-TDSON-8 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 2.8mΩ Montage: SMD
3 Wochen
6,60€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 250V 280W unipolar 24A TO247AC IRFP264PBF N-Kanal-Transis _1GH_IRFP264PBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 250V Drainstrom: 24A Verlustleistung: 280W Gehäuse: TO247AC Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 7Ω Montage: THT Gate-Ladung: 210nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
12,51€
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