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TNE Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4,7A; 1,4W; SOT23 AO3400A N-Kanal-Transistoren SMD 7320
Hersteller: ALPHA SEMICONDUCTOR Montage: SMD Verlustleistung: 1.4W Gate-Ladung: 6nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 4.7A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 30V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: SOT23 Widerst im Leitungszust: 26.5m? Gate-Source Spannung: ±12V
2-3 Werktage
4,39€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 33,2W F 12N65 N-Kanal-Transistoren THT 650V unipolar 12A _1GH_12N65-LGE
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC Montage: THT Gehäuse: TO220F Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 650V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Widerst im Leitungszust: 0.54Ω Gate-Source Spannung: 30V Verlustleistung: 33.2W Gate-Ladung: 50.5nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 12A
3 Wochen
6,62€
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TNE 5x Transistor: N-MOSFET 0,9W SOT23 AO3420 N-Kanal-Transistoren SMD unipolar 5A 20V _1GH_AO3420
Hersteller: ALPHA
3 Wochen
6,49€
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TNE 1x Transistor: N/P-MOSFET complementary pair unipolar 30/-30V AOD607A Multikanalt _1GH_AOD607A
Hersteller: ALPHA
3 Wochen
6,48€
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TNE 3x Transistor: N/P-MOSFET complementary pair unipolar 20/-20V AO6604 Multikanaltr _1GH_AO6604
Hersteller: ALPHA
3 Wochen
6,51€
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TNE 3x Transistor: N/P-MOSFET complementary pair unipolar 30/-30V AO4629 Multikanaltr _1GH_AO4629
Hersteller: ALPHA
3 Wochen
6,60€
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Chanzon 10 Stück IRF1404 TO-220 Power Sic MOSFET IRF1404PBF 202A Transistor
Übersicht: TO220 Power MOS FET IRF1404, Strom: 202 A, Spannung: 40V Ersatz für: IRF1404PBF Original Transistoren Bipolar Junction Triode Mosfets Für: Elektronisches DIY-Projekt
91,96€
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BDG LLC DE
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 26A 500W 500V unipolar TO263 IXFA26N50P3 N-Kanal-Transist _1GH_IXFA26N50P3
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 26A Verlustleistung: 500W Gehäuse: TO263 Widerst im Leitungszust: 2Ω Montage: SMD Gate-Ladung: 42nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
8,00€
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET -100V unipolar 180W -15A TO247AC IRFP9140PBF P-Kanal-Tran _1GH_IRFP9140PBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -100V Drainstrom: -15A Verlustleistung: 180W Gehäuse: TO247AC Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 200mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 61nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
11,06€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 100V 15A 52W DPAK IRLR3410TRPBF N-Kanal-Transist _1GH_IRLR3410TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 15A Verlustleistung: 52W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
3 Wochen
6,14€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 300W 10A 800V unipolar TO247-3 IXFH10N80P N-Kanal-Transis _1GH_IXFH10N80P
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 10A Verlustleistung: 300W Gehäuse: TO247-3 Montage: THT Gate-Ladung: 40nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
13,11€
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET 48W unipolar 50V 14A TO252AA RFD14N05LSM N-Kanal-Transist _1GH_RFD14N05LSM
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 48W Gate-Ladung: 40nC Polarisierung: unipolar Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level Drainstrom: 14A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 50V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: TO252AA Widerst im Leitungszust: Ω Gate-Source Spannung: 10V Montage: SMD
3 Wochen
6,34€
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9,34€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 15A 100V 52W unipolar DPAK IRFR3910TRPBF N-Kanal-Transist _1GH_IRFR3910TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 15A Verlustleistung: 52W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,36€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 32W unipolar 7A 600V PG--3-FP SPA07N60C3 N-Kanal-Transist _1GH_SPA07N60C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: PG-TO220-3-FP Montage: THT Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Widerst im Leitungszust: 0.6Ω Gate-Source Spannung: 20V Verlustleistung: 32W Polarisierung: unipolar Technologie: ™ Drainstrom: 7A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 600V
3 Wochen
7,75€
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Mosfet-Transistor-Kit bis 220, 10 Modelle N-K & P-K Sortiment mit Irfz44N Irf540N Irf3205 Irf9540N für elektronische Projekte und Schaltungen, 50 Stück
Lieferumfang: 50 MOSFET-Transistoren TO-220 für Reparatur, Prototyping und Unterricht – enthält 5 x IRFZ44N (49 A/55 V), 5 x IRF510N (5,6 A/100 V), 5 x IRF520N (9,7 A/100 V), 5 x IRF530N (17 cm). A/100 V. ), 5x IRF540N (33A/100V), 5x IRF640N (18A/200V), 5x IRF740 (10A/400V), 5x IRF840 (8A/500V), 5x IRF3205 (110A/55V), 5x IRF9540 (23A/1) 00 V) Leistungs- und Spannungsbereich: Die MOSFET-Auswahl deckt eine breite von 55 V bis 500 V und Nennstrom bis zu 110 A ab, bietet Teile, die sowohl für Niederspannungs-Hochstrom-Schaltung als auch für Hochspannungs-Leistungsstufen geeignet sind. Standard TO-220 Formfaktor: TO-220 Paket bietet effektive Wärmeübertragung und Kompatibilität mit gängigen Kühlkörpern, Durchgangsloch-Leiterplattenmontage und Standardklemmen für stabilen Betrieb unter Last. Design-Flexibilität: Mischung aus N-K- und P-K-MOSFETs unterstützt Schaltung, Verstärkung und ergänzende Anordnungen wie H-Brücken und Push-Pull-für Motortreiber und Stromwandler. Für wen es geeignet ist: Geeignet für Elektronik-Bastler, Banktechniker und Studenten, die Motorsteuerungen, DC-DC-Wandler, Audio-Verstärker und Prototyping-Projekte bauen; jedes MOSFET-Datenblatt passt elektrische Parameter an Ihre Schaltung an.
22,93€
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Shoufeitec
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 38W unipolar 55V 16A DPAK IRFR024NTRPBF N-Kanal-Transisto _1GH_IRFR024NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 16A Verlustleistung: 38W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
5,76€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 43A 150V 200W unipolar TO247AC IRFP3415PBF N-Kanal-Transi _1GH_IRFP3415PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 43A Verlustleistung: 200W Gehäuse: TO247AC Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 42mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 133.3nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
9,38€
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TNE 20x Transistor: N-MOSFET unipolar 170mA 60V Idm: 900mA NX7002BKR N-Kanal-Transisto _1GH_NX7002BKR
Hersteller: NEXPERIA Drainstrom im Impuls: 900mA Gate-Ladung: 1nC Polarisierung: unipolar Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level Drainstrom: 170mA Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: SOT23 Gehäuse: TO236AB Widerst im Leitungszust: 5.7Ω Montage: SMD
3 Wochen
5,37€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 500V 20A unipolar 380W TO247-3 IXFH20N50P3 N-Kanal-Transi _1GH_IXFH20N50P3
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 20A Verlustleistung: 380W Gehäuse: TO247-3 Widerst im Leitungszust: 300mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 36nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
15,63€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 500V 380W 20A unipolar TO3P IXFQ20N50P3 N-Kanal-Transisto _1GH_IXFQ20N50P3
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 20A Verlustleistung: 380W Gehäuse: TO3P Widerst im Leitungszust: 300mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 36nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
14,46€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 150W 80A 75V PG--3 IPP052NE7N3GXKSA1 N-Kanal-Tra _1GH_IPP052NE7N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ 3 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 75V Drainstrom: 80A Verlustleistung: 150W Gehäuse: PG-TO220-3 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 5.2mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
7,61€
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET 55V unipolar 68W 28A DPAK IRLR2705TRPBF N-Kanal-Transisto _1GH_IRLR2705TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 28A Verlustleistung: 68W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
3 Wochen
6,70€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 38W 55V 17A unipolar DPAK IRLR024NTRPBF N-Kanal-Transisto _1GH_IRLR024NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 17A Verlustleistung: 38W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
3 Wochen
6,28€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 56A unipolar 107W 120V PG--3 IPP147N12N3GXKSA1 N-Kanal-Tr _1GH_IPP147N12N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ 3 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 120V Drainstrom: 56A Verlustleistung: 107W Gehäuse: PG-TO220-3 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 14.7mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
7,58€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 100V unipolar 94W 27A TO247AC IRFP140NPBF N-Kanal-Transis _1GH_IRFP140NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 27A Verlustleistung: 94W Gehäuse: TO247AC Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 52mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 62.7nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
8,26€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 200V X3-Class unipolar 36A 176W IXFP36N20X3 N-Kanal-Tran _1GH_IXFP36N20X3
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HiPerFET™ Technologie: X3-Class Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 36A Verlustleistung: 176W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 45mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 21nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Bereitschaftszeit: 75ns
3 Wochen
10,68€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 14A 150W 500V TO247 STW14NK50Z N-Kanal-Transisto _1GH_STW14NK50Z
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: TO247 Verlustleistung: 150W Technologie: SuperMesh™ Polarisierung: unipolar Drainstrom: 14A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 500V Transistor-Typ: N-MOSFET Widerst im Leitungszust: 380mΩ Gate-Source Spannung: 30V
3 Wochen
10,38€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar MDmesh™ || 600V 20A 250W STP34NM60N N-Kanal-Tran _1GH_STP34NM60N
Hersteller: STMicroelectronics Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: MDmesh™ || Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 20A Verlustleistung: 250W Gehäuse: TO220-3 Gate-Source Spannung: 25V Widerst im Leitungszust: 105mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
19,43€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 22A 500W 600V TO263 IXFA22N60P3 N-Kanal-Transist _1GH_IXFA22N60P3
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 22A Verlustleistung: 500W Gehäuse: TO263 Widerst im Leitungszust: 390mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 38nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
11,73€
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